【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地涉及在成膜对象通过与溅 射靶相对的位置时进行成膜的成膜设备，以及基于该设备的成膜方法。
技术介绍
对于在成膜对象通过与溅射靶相对的位置时进行成膜的成膜设备，如 果成膜对象的尺寸相对于靶较大，则膜不能在外边界侧形成，且膜厚度分 布劣化。另一方面，如果成膜对象的尺寸相对于靶较小，在真空室中附着 于成膜对象外的部分的膜量增大，因此成膜效率降低。此外，如果真空室 中附着的物质剥落，则污染成膜对象，为了避免这种情况，需要进一步清 理真空室的内部，这需要时间和精力。专利文献1公开了在保持有靶的溅射阴极相对于基底旋转时进行溅射， 或在溅射阴极停在指定的位置时在基底上进行溅射成膜指定的时间，然后 旋转溅射阴极以改变其位置并再次在基底上进行溅射成膜。然而，在专利文献l中，如其附图2所示，溅射阴极上保持一个圆形 靶，但该靶的设置不能同时覆盖所有进行成膜的区域(两个基底的整个表 面)。当沿着偏离其中心的轴旋转耙使得两个基底的整个表面与耙相对而在 基底上进行溅射成膜，溅射阴极在成膜期间一直旋转。这还需要旋转供电 线路，和用于冷却靶的冷却剂供应线路。因此，需要特殊...
【技术保护点】
成膜设备，其包含： 真空室； 成膜对象保持部，该保持部可旋转地设在所述真空室中；和 可保持多个靶的溅射源，该溅射源以可自转的方式设置，使得所述靶与成膜对象相对的区域可以变化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：川又由雄，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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