【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路及制造半导体器件的加工工艺。具体而言，本专利技术提供一种 。
技术介绍
集成电路已经从在单个硅芯片上制作的少数互连器件发展成数以百万计的器件。 常规集成电路提供远超最初设想的性能和复杂性。为了实现复杂性和电路密度(即能够封 装到给定芯片面积上的器件的数目)的改进，也称为器件“几何条件”的最小器件特征尺寸 已经随着各代集成电路而变得更小。增加的电路密度不仅改进集成电路的复杂性和性能并且还向消费者提高成本更 低的部件。集成电路或者芯片制作设施可以价值数以亿计或者甚至数以十亿计的美元。每 个制作设施具有一定的晶片产量，并且每个晶片之上具有一定数目的集成电路。因此，通过 使集成电路的单个器件更小，可以在每个晶片上制作更多器件，因此增加制作设施的产量。 使器件更小颇具挑战性，因为集成电路制作中所用各工艺具有限制。也就是说，给定工艺通 常仅仅向下适用于某一特征尺寸，然后需要改变工艺或者器件布局。此外，由于器件要求越 来越快的设计，所以某些常规工艺和材料存在工艺限制。具有基于给定特征尺寸的限制的工艺例子，是形成用于MOS晶体管器件的外延材 料。通常形成这...
【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区的半导体衬底，所述表面区具有一种或者多种污染物，所述表面区上方具有上方氧化物层；有选择地去除所述上方氧化物层，并且暴露包括所述一种或者多种污染物的所述表面区；对所述表面区进行激光处理工艺，以去除所述表面区上的所述一种或者多种污染物；并且去除所述激光处理工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高大为，三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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