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本发明提供了一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区的半导体衬底，所述表面区具有一种或者多种污染物，所述表面区上方具有上方氧化物层；有选择地去除所述上方氧化物层，并且暴露包括所述一种或者多种污染物的所述表面区；对所述表面区进行...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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