【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源及微电子
，特别涉及一种闭环曲率补偿CM0S带隙基准电压源。
技术介绍
一般来说，从芯片外部引入的供电电压都存在一定的波动，而高精度的模拟电路对偏置 电压的稳定性要求较高，因此，在模拟电路中我们一般会使用一个参考电压源，它可以将电 源电压转化为一个具有良好电压稳定性和温度稳定性的电压，为电路的其它部分提供良好的 参考电压。基准电压源通常是指在电路中做电压基准的精确、稳定的电压源。随着集成电路规模的 不断增大，尤其是系统集成技术的发展，基准电压源成为大规模、超大规模集成电路和几乎 所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。电压基准电路以其输出参考电压的精确性和稳定性，被广泛地应用于高精度模拟电路及 数模混合电路中，例如高精度比较器、高精度A/D和D/A转换器、线性稳压器，以及DC/DC变 换器。在A/D和D/A转换器，数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性基 准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有 基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种 ...
【技术保护点】
一种闭环曲率补偿ＣＭＯＳ带隙基准电压源，其特征在于，所述基准电压源包括： ＰＴＡＴ电流产生电路，用于产生ＰＴＡＴ电流（ＩＰＴＡＴ）； ＣＴＡＴ电流产生电路，用于产生ＣＴＡＴ电流（ＩＣＴＡＴ）； 闭环补偿电流产生电路，用于产生闭环补偿电流（ＩＣＬ）；参考电压产生电路，用于产生参考电压源（Ｖｒｅｆ）； 所述ＰＴＡＴ电流产生电路与ＣＴＡＴ电流产生电路相连，所述ＣＴＡＴ电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连，所述参考电压产生电路与ＣＴＡＴ电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。
【技术特征摘要】
权利要求1一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述基准电压源包括PTAT电流产生电路，用于产生PTAT电流(IPTAT)；CTAT电流产生电路，用于产生CTAT电流(ICTAT)；闭环补偿电流产生电路，用于产生闭环补偿电流(ICL)；参考电压产生电路，用于产生参考电压源(Vref)；所述PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连，所述CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连，所述参考电压产生电路与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。2.如权利要求1所述的闭环曲率补偿CM0S带隙基准电压源，其特征在于，所述PTAT电流产 生电路包括第一M0S管、第二MOS管、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第一运算放大 器；所述第一MOS管的源极和衬底接电源，所述第一MOS管的漏极通过第一电阻与第一晶体 管的发射极相连，所述第一晶体管的基极与集电极接地，所述第一运算放大器的同相输入端 与第一MOS管的漏极相连，所述第一运算放大器的反相输入端与第二MOS管的漏极相连，所述 第一运算放大器的输出端与第一MOS管和第二MOS管的栅极相连，所述第二晶体管的发射极与 第二MOS管的漏极相连，所述第二晶体管的基极与集电极接地，所述第二MOS管的源极和衬底 接电源。3.如权利要求2所述的闭环曲率补偿CM0S带隙基准电压源，其特征在于，所述第一MOS管 和第二MOS管为P沟道MOS管；所述第一晶体管和第二晶体管为PNP型三极管。4.如权利要求l所述的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CTAT电流产生电路包括第三MOS管、第四M0S管、第三晶体管、第二电阻和第二运算放大器；所述第三M0S管的源极和衬底接电源，所述第三M0S管的漏极与第二电阻的一端相连， 所述第二电阻的另一端接地，所述第四MOS管的源极和衬底接电源，所述第四MOS管的漏极与 第三晶体管的发射极相连，所述第三晶体管的基极与集电极接地，所述第二运算放大器的同 相输入端与第三MOS管的漏极相连，所述第二运算放大器的反相输入端与第四MOS管的漏极相 连，所述第二运算放大器的输出端与第三MOS管的栅极相连，所述第四MOS管的栅极与第一运 算放大器的输出端相连。5.如权利要求4所述的闭环曲率补偿CM0S带隙基准电压源，其特征在于，所述第三MOS管 和第四MOS管为P沟道MOS管；所述第三晶体管为PNP型三极管。6.如权利要求1所述的闭环曲率补偿CM0S带隙基准电压源，其特征在于，所述闭环补偿电 流产生电路包括第五MOS管、...
【专利技术属性】
技术研发人员：范涛，袁国顺，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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