用于改善环形振荡器频率变动的低噪声基准电压产生电路制造技术

本发明专利技术提供一种低噪声基准电压产生电路，可除去在电路内部会对噪声进行放大的放大器，并将与绝对温度成正比的电流（ＩＰＴＡＴ）直接转换为与绝对温度成正比的电压（ＶＰＴＡＴ）后，使其从线性调节器传送到环形振荡器，由此防止一般的带隙基准电压产生电路引起的噪声性能的劣化，还可达到低噪声和较高的电源抑制比（ＰＳＲＲ）的低噪声基准电压产生电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低噪声基准电压产生电路，特别是涉及一种除去在电路内部会对噪声进行放大的放大器，并将与绝对温度成正比的电流(IPTAT)直接转换为与绝对温度成正比的电压(vPTAT)后，将其从线性调节器传送到环形振荡器，由此防止一般的带隙基准电 压产生电路引起的噪声性能的劣化，还可达到低噪声和较高的电源抑制比(Power Su卯ly Rejection Ratio, PSRR)的低噪声基准电压产生电路。
技术介绍
—般情况下，CMOS环形振荡器(Ring Oscillator)具有较宽的调整范围且不需 要较大的手动组件，从而使用于无线通讯等应用之中。近年来，随着CMOS技术的发展，开 始利用于如广播用频道选择器(broadcasting tuner) 、 GPS接收器、及无线局域网收发器 (Wireless LAN transceiver, WLAN)的RF应用。 但是CMOS环形振荡器的噪声性能(noise performance)较弱，因此作为RF收发器时会受到制约，还存在对温度和供给电源的变动敏感度过高的问题。 最近，为了解决CMOS环形振荡器对噪声和温度及供给电源变动率敏感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于改善环形振荡器的频率变动的低噪声基准电压产生电路，其特征在于所述低噪声基准电压产生电路包括：电流发生部，用来产生与绝对温度成正比的电流；电压变换部，用来将所述电流转换为电压并输出到线性调节器，由所述电流镜构成的晶体管与二极管连接而成；以及电源抑制比改善电阻，连接于所述与二极管连接的晶体管的一端子，用于改善电源电压的变动性。

【技术特征摘要】
KR 2008-12-1 10-2008-0120264一种用于改善环形振荡器的频率变动的低噪声基准电压产生电路，其特征在于所述低噪声基准电压产生电路包括电流发生部，用来产生与绝对温度成正比的电流；电压变换部，用来将所述电流转换为电压并输出到线性调节器，由所述电流镜构成的晶体管与二极管连接而成；以及电源抑制比改善电阻，连接于所述与二极管连接的晶体管的一端子，用于改善电源电压的变动性。2. 根据权利要求1所述的低噪声基准电压产生电路，其特征在于所述低噪声基准电 压产生电路包括端子连接于电源电压的第一及第二负反馈电阻； 端子连接于所述第一负反馈电阻的第一 P型金属氧化物半导体；端子连接于所述第二负反馈电阻，且与所述第一P型金属氧化物半导体构成电流镜的 第二 P型金属氧化物半导体；端子连接于所述第一 P型金属氧化物半导体的另一端子，另一端子通过电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仁哲，黄明运，文齐彻，赵显夏，
申请(专利权)人：芯光飞株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]