基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路制造技术

本发明专利技术公布了一种基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路，包括带隙基准电流产生电路、反馈控制环路、温度调节电路和输出电路，其中带隙基准电流产生电路由四个ＰＭＯＳ管、两个ＮＭＯＳ管、两个电阻和两个ＰＮＰ三极管构成，反馈控制环路由两个ＰＭＯＳ管、两个ＮＭＯＳ管和两个ＰＮＦ三极管构成，温度调节电路由两个ＮＭＯＳ管构成，输出电路由两个ＰＭＯＳ管、四个电阻和一个ＰＮＰ三极管组成。本发明专利技术电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比和较高的工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高阶温度补偿带隙基准电路，具体涉及一种混合模式高阶温度补 偿带隙基准电路，属于模拟电路

技术介绍
电压或电流基准电路能为系统提供不随温度和电源变化的电压或电流源，基准精 度对系统性能的影响和作用日益显著。带隙基准因具有低温度系数、高电源抑制比以及与 传统CMOS工艺相兼容等优点，获得了广泛的应用。现有的电压模带隙基准在-40°C 125°C温度范围内，经一阶线性补偿后温度系 数可降到IOppm/°C以内，高阶温度补偿能进一步将温度系数降至3 5ppm/°C。常规的高 阶温度补偿一般是利用多路补偿电流的叠加控制，不但补偿结构复杂，芯片占用面积较大， 而且工艺敏感度高，无法克服工艺漂移对电路性能的影响，基准温度系数的最大工艺漂移 达到数十倍之巨，其性能和工艺稳定性甚至还不如相应的一阶线性补偿基准，使得基准高 阶补偿结构的实用价值难以体现。此外，当温度系数较低时，基准的电源抑制比(PSRR)受 到影响和制约更为显著，需要折中处理以满足电路系统对高精度基准的要求。新的高阶补 偿应满足工艺稳定下的电路系统的综合指标要求。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要解决的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路，其特征在于包括带隙基准电流产生电路、反馈控制环路、温度调节电路和输出电路；其中带隙基准电流产生电路由四个ＰＭＯＳ管、两个ＮＭＯＳ管、两个电阻和两个ＰＮＰ三极管构成，反馈控制环路由两个ＰＭＯＳ管、两个ＮＭＯＳ管和两个ＰＮＰ三极管构成，温度调节电路由两个ＮＭＯＳ管构成，输出电路由两个ＰＭＯＳ管和一个ＰＮＰ三极管组成；带隙基准电流产生电路：第一ＰＭＯＳ管（ＰＭ１）和第三ＰＭＯＳ管（ＰＭ３）的源极分别接电源（ＶＤＤ），第一ＰＭＯＳ管４）的漏极依次串接第二电阻（Ｒ２）、第三电阻（Ｒ３）、第四电阻（Ｒ４）、第五电阻（Ｒ５）后接第四ＰＮＰ管（Ｑ４）的发射极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂卫东，吴金，朱伟民，李浩，景苏鹏，尹岱，盛慧红，渠宁，
申请(专利权)人：无锡市晶源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]