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无锡市晶源微电子有限公司专利技术
无锡市晶源微电子有限公司共有114项专利
气流传感装置及电子烟装置制造方法及图纸
本发明提供一种气流传感装置及电子烟装置,包括电池、升压模块、感应模块及调节模块;所述电池连接所述升压模块的电压输入端,所述升压模块的电压输出端连接所述感应模块及所述调节模块,所述感应模块连接所述调节模块,所述感应模块用于感应气流变化且将...
测量电路及测量方法技术
本发明提供一种测量电路及测量方法。其中,测量电路中的比较单元用于比较第一预设值和第二预设值之间的电压差,以使累加累减单元根据比较结果进行计数,控制单元根据计数结果调节比较电压两个输入端的电压差,从而计算出控制单元的电压分辨率,能够避免因...
可有效抑制温漂的基准电压源制造技术
本发明涉及一种可有效抑制温漂的基准电压源,包括基本带隙基准单元,所述基本带隙基准单元用于输出基准电压;温度补偿电流产生单元,所述温度补偿电流产生单元用于产生正温漂电流和负温漂电流;温度补偿单元,所述温度补偿单元接收温度补偿电流产生单元产...
漏电保护装置及其检测方法制造方法及图纸
本发明提供一种漏电保护装置及其检测方法。其中,在所述漏电保护装置中,漏电感应模块用于检测漏电流,并传输至检测控制模块;检测控制模块中的漏电检测回路用于接收漏电感应模块输入的漏电流,并输出漏电信号至检测信号切换回路;检测信号切换回路至少用...
PSR控制电路及反激式开关电源制造技术
本发明提供一种PSR控制电路及反激式开关电源。其中,PSR控制电路中的采样单元用于采集第一采样信号,以及根据第一采样信号和反馈存储单元输出的反馈信号生成第二采样信号;误差放大单元用于接收第二采样信号,以及对第二采样信号与基准电压的周期差...
开关电源输出电压采样电路制造技术
本发明涉及一种开关电源输出电压采样电路,包括变压器原边绕组、原边辅助绕组和副边绕组,所述副边绕组输出端经整流滤波电路接开关电源输出电压端,所述原边辅助绕组接采样电阻,通过对流经所述采样电阻的电流进行采样,获得开关电源输出电压;还包括采样...
击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构制造技术
本发明涉及一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构,包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管,所述PNP管基极接所述NPN管集电极,所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管基极,所述PNP管基极和所述NPN管集电极经第一电阻接电源...
同步整流管栅极驱动信号的关闭点控制电路制造技术
本发明涉及一种同步整流管栅极驱动信号的关闭点控制电路,包括关闭逻辑比较器、参考量控制逻辑单元、补偿调整控制逻辑单元和电压采样与积分补偿控制单元,参考量控制逻辑单元输出第一控制信号,补偿调整控制逻辑单元根据反馈的采样电压信号输出第二控制信...
延时装置制造方法及图纸
本发明提供一种延时装置,包括:电流源、电容器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关、第一反相器、第二反相器和第三反相器。本发明利用所述电流源给所述电容器充电,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管进入亚阈值区,使得所述电容器两端的充...
电池放电保护装置制造方法及图纸
本发明涉及一种电池放电保护装置,包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT);包括栅极驱动单元,所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池...
漏电保护器控制电路制造技术
本发明涉及一种漏电保护器控制电路,包括漏电感应线圈,还包括运算放大器(OPA),所述漏电感应线圈与所述运算放大器(OPA)输入端相连,所述运算放大器(OPA)输出端接窗口比较器;所述漏电感应线圈产生漏电电流,或所述漏电感应线圈与所述运算...
二极管及其制备方法技术
本发明提供一种二极管及其制备方法。其中,在衬底和导电层之间设置有隔离层,以避免形成的二极管与集成电路中的其他器件形成寄生效应,进而避免产生电流干扰和闩锁等问题。并且,第二区域、第二导电区域和第三导电区域形成的晶体管与第二导电区域、第三导...
基准电压产生电路制造技术
本发明提供一种基准电压产生电路,包括:基准信号模块、开关电容积分模块、开关信号模块和采样与保持模块,所述开关电容积分模块接收所述基准信号模块输出的所述第一基准电压或所述第二基准电压,并根据所述开关信号模块输出的开关信号,向所述采样与保持...
开关电源输出驱动装置制造方法及图纸
本发明涉及一种开关电源输出驱动装置,包括多级阶梯驱动单元,所述多级阶梯驱动单元可根据开关电源的第一NMOS管栅极电压,对第一NMOS管栅极充电,开启第一NMOS管;每级阶梯驱动单元包括驱动电路和数字逻辑单元,所述驱动电路输出端接第一NM...
高维持电压ESD保护器件制造技术
本发明涉及一种高维持电压ESD保护器件,包括第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第一三极管(NPN1)、第二三极管(NPN2)、二极管(D1),第一NMOS管(NM1)和第二NMOS管(NM2)串接,第一三极管(NPN1...
MOS管输出电流测量电路制造技术
本发明涉及一种MOS管输出电流的测量电路,包括电流采样单元(101),用于对待测MOS管的输出电流采样;电流电压变换单元(102),用于将所述电流采样单元(101)输出的采样电流变换为采样电压;比较器(103),用于将所述采样电压和设定...
一种高压NPN器件制造技术
本发明涉及一种集成JFET管钳位结构的高压NPN器件,包括低压NPN三极管,还包括JFET管,所述低压NPN三极管与所述JFET管集成;所述低压NPN三极管的集电极接所述JFET管的源极;所述JFET管的漏极作为所述高压NPN器件的集电...
升压DC/DC转换器的过载保护电路制造技术
本发明涉及一种升压DC/DC转换器的过载保护电路,过载检测单元用于检测比较切换开关端电压和DC/DC转换器的输出端电压;栅极驱动切换单元信号输出端接升压续流PMOS管的栅极,栅极驱动切换单元第一信号输入端接升压DC/DC转换器的正常升压...
用于红外接收装置的环境光补偿电路制造方法及图纸
本发明涉及一种用于红外接收装置的环境光补偿电路,包括依次连接的电位检测单元、电压积分单元和电压电流转换单元,其中,所述电位检测单元用于接收第一电压信号(VSAM),并将第一电压信号(VSAM)与基准电压比较;所述电压积分单元包括控制电容...
用于PMOS管的反向电流抑制电路制造技术
本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路,包括栅极驱动单元,第一PMOS管源极电位小于漏极电位时,所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位,所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态;包括衬底切换单元,所述第一PMOS...
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