【技术实现步骤摘要】
额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器
本专利技术涉及低噪声放大器(LNA，LowNoiseAmplifier)，更详细地，涉及使额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，即，对现有的低噪声放大器的结构进行简单变更来调节低噪声放大器的晶体管端子之间所形成的电压，并且使晶体管在自身的最大额定数值以内进行驱动，从而提高低噪声放大器的稳定性和耐久性，可更加准确且精密地体现放大功能。
技术介绍
此部分记述的内容仅单纯提供本专利技术的背景信息，并不构成现有技术。射频信号(RadioFrequencySignal)应用在无线高频信号时，具有不被空间限制的特性，因而可保障用户的移动性，也因此通常用于无线通信、移动通信、数据收发等多种领域。图1绘示射频信号收发系统的结构示意图。如图1所示，射频收发系统可大致分为发送射频信号的发送部Tx及用于接收各种不同来源的射频信号的接收部Rx。发送部Tx的功率放大器(PA，PowerAmplifier)对射频信号进行放大，从而可向有段距离的接收部Rx传送充分的射频信号，接收部Rx...
【技术保护点】
1.一种额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，包括：/n一个以上的晶体管，对通过上述低噪声放大器的输入线从外部输入的信号进行放大来输出；/n偏压部，与上述输入线相连接，用于设定上述晶体管的驱动点；/n阻抗匹配部，用于匹配上述低噪声放大器的阻抗；/n隔直电容器，与上述输入线相连接，用于阻隔上述输入信号的直流电的部分；以及/n第一二极管，连接在上述晶体管的三个端子中的第一端子与第二端子之间，用于将上述第一端子与上述第二端子之间的电压调节为第一基准电压以下。/n
【技术特征摘要】
20180716 KR 10-2018-00822291.一种额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，包括：
一个以上的晶体管，对通过上述低噪声放大器的输入线从外部输入的信号进行放大来输出；
偏压部，与上述输入线相连接，用于设定上述晶体管的驱动点；
阻抗匹配部，用于匹配上述低噪声放大器的阻抗；
隔直电容器，与上述输入线相连接，用于阻隔上述输入信号的直流电的部分；以及
第一二极管，连接在上述晶体管的三个端子中的第一端子与第二端子之间，用于将上述第一端子与上述第二端子之间的电压调节为第一基准电压以下。
2.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，
上述晶体管由场效应晶体管构成，
上述第一基准电压为上述场效应晶体管的第一端子与第二端子之间的最大额定电压，
上述第一二极管包括以背对背结构连接的两个二极管。
3.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，还包括第二调节部，上述第二调节部与上述低噪声放大器的驱动电源线相连接，用于将上述晶体管的第三端子与上述第一端子之间的电压调节为第二基准电压以下。
4.根据权利要求3所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，上述第二调节部由与上述驱动电源线并联的一个以上的二极管构成。
5.根据权利要求3所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，
上述第二调节部连接在上述驱动电源线与上述输入线之间，将上述低噪声放大器的驱动电源根据上述输入信号的电平转换为不同电平的电压来向上述驱动电源线施加，
上述不同电平的电压为将上述第三端子与上述第一端子之间的电压调节为上述第二基准电压以下的电压。
6.根据权利要求5所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器，其特征在于，上述第二调节部包括：
信号生成器，与上述输入线相连接，若从上述输入信号检测到预设的检测电平以上的信号，则输出使能信号；以及<...
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