【技术实现步骤摘要】
混合差分放大器及其方法
本专利技术主张美国专利申请案第16/035897号(申请日：2018年07月16日)的优先权，该申请案的完整内容纳入为本专利技术专利说明书的一部分以供参照。本专利技术一般关于一种差分放大器电路，更具体地说，关于一种可以减轻接地反弹及源极退化的不利影响的电路。
技术介绍
如图1中所示，传统的差分放大器100包括核心电路110及负载130。核心电路110包括差分对111及叠接对112。差分对111包括第一N型通道金属氧化物半导体(n-channelmetaloxidesemiconductor,NMOS)晶体管111A及第二NMOS晶体管111B，其用以接收包括第一端VIP及第二端VIN的输入信号，并输出第一电流I1a及第二电流I1b，而叠接对112包括第三NMOS晶体管112A及第四NMOS晶体管112B，用以接收第一电流I1a及第二电流I1b并输出第三电流I1c及第四电流I1d。负载130包括第一电感131及第二电感132，第一电感131及第二电感132用以提供终端(termination)给...
【技术保护点】
1.一种差分放大器，其包括：/n一第一共源放大器，包括一第一P型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收一第一电压并输出一第一电流；/n一第二共源放大器，包括一第一N型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收一第二电压并输出一第二电流，其中该第一共源放大器及该第二共源放大器共用一共源节点，且该第一电压的交流分量是该第二电压的交流分量的反转；/n一第一共栅放大器，包括一第二P型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收该第一电流并输出一第三电流；/n一第二共栅放大器，包括一第二N型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收该第二电流并输出一第四电流；以及/n一负载，用以端接该第三电流及该第四电流。/n
【技术特征摘要】
20180716 US 16/035,8971.一种差分放大器，其包括：
一第一共源放大器，包括一第一P型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收一第一电压并输出一第一电流；
一第二共源放大器，包括一第一N型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收一第二电压并输出一第二电流，其中该第一共源放大器及该第二共源放大器共用一共源节点，且该第一电压的交流分量是该第二电压的交流分量的反转；
一第一共栅放大器，包括一第二P型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收该第一电流并输出一第三电流；
一第二共栅放大器，包括一第二N型通道金属氧化物半导体晶体管，用以接收该第二电流并输出一第四电流；以及
一负载，用以端接该第三电流及该第四电流。
2.如权利要求1所述的差分放大器，其中该负载包括置入在该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一接地节点之间的一第一电感，以及置入在该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的漏极及一电源节点之间的一第二电感。
3.如权利要求1所述的差分放大器，其中该负载进一步包括一调整电容，用以调整该负载的阻抗。
4.如权利要求3所述的差分放大器，其中：
该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极是耦合到一第一偏压的直流电流；
该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极是耦合到一第二偏压的直流电流；
该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的源极是耦合到该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极的交流电流；
该第二P型通道金属氧化物半导体晶体管的源极是耦合到该第二N型通道金属氧化物半导体晶体管的栅极的交流电流。
5.一种差分放大器，其包括：
一第一混合差分放大器，用以接收一第一输入信号及一第二输入信号，并分别使用一第一叠接放大器及一第二叠接放大器输出一第一输出信号及一第二输出信号；以及
一第二混合差分放大器，用以分别接收一第三输入信号及一第四输入信号，并分别使用一第三叠接放大器及一第四叠接放大器输出一第三输出信号及一第四输出信号；
其中：...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢娟，梁宝文，林嘉亮，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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