【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基准电压补偿电路,尤其是一种非对称型偏置电压补偿带隙 基准电路。
技术介绍
在一般系统中,带隙基准电路一般有两种。(1)如图Ι-a所示,普通带隙基准电路, 启动电压高,输出电压不可调;(2)如图l_b所示,普通低压带隙基准电路,启动电压低,输 出电压可以为任意值,且以上电路在运放存在较大失调电压时会发生无法启动的问题,如 图4所示,这样会限制芯片的成品率。(三)
技术实现思路
本技术的目的在于设计一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,它可以克 服现有技术的不足,使获得的带隙基准电压除了低电源电压动作、极低的温漂、较好的电源 特性外,还可以在运放存在较大失调电压时仍能正常动作。本技术的技术方案一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,包括电源电 压端子VDD,其特征在于它包括正温度系数电流生成单元、负温度系数电流生成单元、零温 度系数基准电压VREF生成单元、开关管控制单元以及启动电路Start up ;其中,所说的正 温度系数电流生成单元的输入端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的负 温度系数电流生成单元的输入端端连接开关管控制单元的输出端,其输出 ...
【技术保护点】
一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,包括电源电压端子VDD,其特征在于它包括正温度系数电流生成单元、负温度系数电流生成单元、零温度系数基准电压VREF生成单元、开关管控制单元以及启动电路Start up;其中,所说的正温度系数电流生成单元的输入端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的负温度系数电流生成单元的输入端端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的零温度系数基准电压VREF生成单元的输入端连接端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的开关管控制单元的输入端连接电源电压端子VDD,其输出端连接在启动电路Start up两端,且零温度系数输出基准电压VREF。
【技术特征摘要】
一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,包括电源电压端子VDD,其特征在于它包括正温度系数电流生成单元、负温度系数电流生成单元、零温度系数基准电压VREF生成单元、开关管控制单元以及启动电路Start up;其中,所说的正温度系数电流生成单元的输入端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的负温度系数电流生成单元的输入端端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的零温度系数基准电压VREF生成单元的输入端连接端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的开关管控制单元的输入端连接电源电压端子VDD,其输出端连接在启动电路Start up两端,且零温度系数输出基准电压VREF。2.根据权利要求1中所述一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,其特征在于所说 的正温度系数电流生成单元是由晶体管Q1、晶体管Q2和电阻Rl组成,其中晶体管Ql的基 极与晶体管Q2的基极连接,并同时接地,其发射极接地,集电极则与开关控制单元的输出 端连接;所说的晶体管Q2的发射极接地,集电极则经电阻Rl与开关控制单元的输出端连 接;且由电阻Rl得到正温度系数电流II。3.根据权利要求1中所述一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,其特征在于负温 度系数电流生成单元由电阻R2构成,且电阻R2并联在电阻Rl和晶体管Q2的发射极之间, 生成负温度系数电流12。4.根据权利要求1中所述一种非对称型偏置电压补偿带隙基准电路,其特征在于零温 度系数基准电压生成单元是由...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴宇杰,张小兴,吕英杰,林鹏程,
申请(专利权)人:天津南大强芯半导体芯片设计有限公司,
类型:实用新型
国别省市:12[中国|天津]
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