一种存储器单元读取装置及读取方法制造方法及图纸

一种存储器单元读取装置及读取方法，用以读取存储器中所选定存储单元存储的数据，该存储单元依据所存储的数据输出单元电流作为本发明专利技术存储器单元读取装置的输入，并在比较器反馈作用下，经恒流源电路，最终表现为读出放大电路的输出电流，与参考电流进行比较，据以判断并输出存储单元所存储的数据。由于采用单元电流作为读取装置的输入及输出比较对象，大大提高了读取速度，更适于高速闪存等存储器件的应用，同时，采用比较器将恒流源电路中晶体管的的漏电压钳制为参考电压，使其在线性区即可进入正常工作状态，增大了存储器单元读取装置的可工作电源电压范围，在实际数据读取过程中，大大提高了数据读取的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体存储器器件领域，涉及半导体存储器单元数据的读取，具体涉及一种存储器单元的读取装置及读取方法。
技术介绍
半导体存储器器件通常包括多条字线(Word-line，WL)、位线(Bit-line，BL)以及 位于字线和位线各交点配置的存储单元(Memory-cell，MC)，每个存储单元用以记录一个字 节的数据，通过读取所选存储单元上的数据来实现对存储器所存储数据的输出。由于存储 器阵列为虚地阵列结构，该阵列中并没有真正的共源极，因此，在存储单元读取过程中，通 常将位于所选单元旁边的存储单元所连接的位线接地，视为地线。 美国专利US6529412 Bl提供了一种源端读取方法，图1即为该专利提供的源端电压存储器单元数据读取方法电路图。如图i所示，读出电路ioo为电压读出电路，所选则存 储单元上流过的电流I。ell110经由电流-电压转换器130转换为存储单元电压V。ell150后， 输入到读出放大器(Sense Amplifier, S. A.) 170的反相端，而参考电流Iref 120经由电 流_电压转换器140转换为参考电压Vref 160后，输入到读出放大器1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元读取装置，包括：参考单元，用以提供参考电压和参考电流；读出放大电路，包括第一恒流源电路和第一晶体管，其中，第一恒流源电路包括第二晶体管和第三晶体管，且第一晶体管的源端与第二晶体管的源端相连接；其特征在于，还包括：第二恒流源电路，包括第四晶体管和第五晶体管；第一比较器，用以接收所述参考电压，并将所述第一晶体管和所述第五晶体管的漏电压钳制为所述参考电压；第二比较器，用以接收所述参考电压，并将所述第四晶体管的漏电压钳制为所述参考电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]