Manufacturing method of shallow trench isolation structure of the invention comprises the following steps: a pad oxide layer, polysilicon buffer mask layer and the hard mask layer are formed on the surface of the substrate; sequentially etching a pad oxide layer, polysilicon buffer mask layer and the hard mask layer to form an opening; deposition of oxide layer, and removing part of the oxide layer by etching in the opening, on both sides of the formation of a self-aligned sidewall; the self-aligned side wall for masking, etching a shallow trench in the substrate; removing the self-aligned side wall, at the top of the shallow trench corners can be fully exposed; in the generation of linear oxide in the shallow groove, the top of the shallow trench the angle in the process can be a full circle, while part of the mask layer is linear buffer polysilicon oxide, and forming a self-aligned sacrificial oxide; filling in the shallow groove The dielectric layer removes the hard mask layer, the polysilicon buffer mask layer and the liner oxide layer to form a shallow groove isolation structure.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种。
技术介绍
浅槽P禺离(shallow trench isolation, STI)是在衬底(substrate)上 制作晶体管有源区之间隔离区的一种工艺。现有技术中是参见图1A,在衬底ll上生长一层 衬垫氧化层12 (pad oxide),在村垫氧化层12上淀积硬掩膜层(hard mask) 13,通过光刻制作出图形，然后通过干刻蚀(dry etch)依次对硬掩膜层13、 衬垫氧化层12和衬底11进行刻蚀，直至在衬底11中刻蚀出浅沟槽14。之后，参见图IB,在硬掩膜层13、浅沟槽14的侧壁和浅沟槽14的底面上 生长一层薄的氧化膜15，再淀积氧化层16填充浅沟槽14,淀积氧化层16的工 艺例如采用高密度等离子体化学气相淀积(High Density Plasma Chemical Vapor D印osition， HDPCVD)工艺，氧化膜15的材料和氧化层16的材料通常 都为二氧化硅。参见图1C,通过沖M成化学平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)技术抛光硬掩膜层13...
【技术保护点】
一种浅槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；在所述硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角被充分圆化，同时所述浅沟槽两侧的部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易亮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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