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本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；淀积氧化层，并通过刻蚀去除部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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