一种晶片结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；再沉积一层氮化物层；在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；在预定的高压区和预定的低压区生长第二氧化物层。本发明专利技术增加的一道工序，既可以提高ＳＴＩ线性氧化物层的厚度，解决高压区ＳＴＩ弯角氧化物变薄的问题，又不会遇到氮化硅黄光制程中产生的稳定性能力的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，特别涉及一种改进的晶片结构及其制造方法。
技术介绍
在制造浅沟槽结构(STI)的进程中，经常会发现在晶片上生长比较厚的栅氧化层 (gate oxide)，例如厚度> 120A的栅氧化层时，STI的弯角(corner)的栅氧化层厚度会明 显低于有源(active)平坦区的栅氧化层的厚度。如图3所示，半导体衬底(sub)的浅沟槽结构弯角的栅氧化层(STI cornerGOX)的 厚度为10. 7nm，而有源区的平坦处的厚度为15. 3，浅沟槽结构弯角的栅氧化层的厚度仅为 有源平坦区的厚度的70%，出现缺角(divot)我们称之为浅沟槽结构弯角的氧化层变薄。 从而造成栅氧化层质量下降，甚至是可靠性下降。经分析后发现这种现象主要两个原因造成DSTI弯角的晶向与有源平坦区的晶向不同及STI弯角的压力造成生长栅氧化层 时，SSTI弯角的栅氧化层生长表速率会比有源平坦区慢；2)过深的STI缺角深度会造成STI弯角漏出太多，也会加剧这一现象的发生。增加STI线性氧化层(liner oxide)的厚度的优点在于可以解决浅沟槽结构弯角 的氧化层变薄的现象。现有的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤１，提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；步骤２，在步骤１的结构上提供图案化的光阻；步骤３，以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；步骤４，沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；步骤６，再沉积一层氮化物层；步骤７，在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；步骤８，在预定的高压区和预定的低压区再生长一层氧化物层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何荣，林志光，曾令旭，朱作华，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]