温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结...
该专利属于和舰科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技（苏州）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。