半导体器件及制造半导体器件的方法技术

一种半导体器件，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底一个主面中的隔离膜；布置在所述隔离膜上的配线；形成在所述半导体基底内并且位于所述隔离膜附近的扩散层；以及在所述半导体基底一个主面上覆盖扩散层的绝缘膜。所述绝缘膜还覆盖靠近于扩散层的隔离膜的一部分，并且与靠近于扩散层的配线的侧部接触。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底一个主面中的隔离膜；布置在所述隔离膜上的配线；形成在所述半导体基底内并且位于所述隔离膜附近的扩散层；以及在所述半导体基底一个主面上覆盖扩散层的绝缘膜；其特征在于，所述绝缘膜还覆盖靠近于扩散层的隔离膜的一部分，并且与靠近于扩散层的配线的侧部接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：太田宗吾，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]