影像传感器及其制造方法技术

公开了一种具有微透镜之影像传感器及一种用于使用凸块形成过程来制造该影像传感器之方法。一种用于制造影像传感器之方法包括以下步骤：在具有光电二极管及其它各种装置元件之基板结构上形成一钝化层；在该钝化层之一部分上形成一微透镜；在该微透镜上形成一微透镜钝化层以保护该微透镜不受随后的凸块形成过程的影响；藉由选择性地蚀刻该微透镜钝化层及该钝化层来形成一垫开放区域；及在该垫开放区域中形成一凸块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种影像传感器及一种用于制造其之方法；且更特定言之，本专利技术系关于一种影像传感器及一种用于使用凸块(bump)形成过程来制造其之方法。本专利技术可应用于互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器及电荷耦合器件(CCD)影像传感器。
技术介绍
如众所周知的，各种晶片尺寸封装(CSP)技术应用于极小封装之半导体晶片的封装技术，且凸块替代接合线形成于用于CSP之晶片的垫(pad)上。图1A至1E为说明一种用于制造具有凸块之互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器之常规方法的截面图。参照图1A，CMOS影像传感器之一系列装置元件形成于基板101上，且接着，多个金属互连线103形成于上述基板结构上，所述元件包括光电二极管(PD)102、场氧化物层(FOX)及层间绝缘层(ILD)。钝化层104形成于上述所获得之包括金属互连线103之基板结构上。通常藉由堆迭氧化物层与氮化物层来形成钝化层104。在形成光电二极管(PD)102之单元像素区域中，第一平坦化层106形成于钝化层104上，且滤色器107形成于对应于光电二极管区域之第一平坦化层106的一部分上。第二平坦化层108形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造影像传感器之方法，其包含以下步骤：在一具有光电二极管及其它各种装置元件之基板结构上形成一钝化层；在该钝化层之一部分上形成微透镜；在该微透镜上形成一微透镜钝化层，用于保护该微透镜不受随后的凸块形成过程的影响 ；藉由选择性地蚀刻该微透镜钝化层及该钝化层来形成一垫开放区域；及在该垫开放区域中形成一凸块。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李柱日，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]