【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：半导体衬底；形成在该半导体衬底中的光电转换部分；形成在该半导体衬底上以便覆盖所述光电转换部分的栅绝缘膜；以及在垂直方向上传输在所述光电转换部分产生的电荷的多个传输栅电极，所述多个传输栅 电极形成在所述栅绝缘膜上，并且用氧化硅膜来相互绝缘，其中所述多个传输栅电极包括掺有杂质的非晶硅膜或多晶硅膜，并且所述栅绝缘膜具有包括由比氮化硅更抗氧化的材料制成的层的多层结构，或者所述栅绝缘膜具有由比氮化硅更抗氧化的材料制成 的单层结构。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岩脇直树，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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