固态成像装置制造方法及图纸

在半导体衬底（１０）的主表面中形成光电二极管（２０ａ、２０ｂ）。光电二极管（２０ａ）包括Ｐ↑［＋］型半导体层（２２ａ）和电荷积累部分（２１ａ），光电二极管（２０ｂ）包括Ｐ↑［＋］型半导体层（２２ｂ）和电荷积累部分（２１ｂ）。光电二极管（２０ａ和２０ｂ）由具有ＳＴＩ结构的元件隔离部分（３３ａ）分开。构成光电二极管（２０ａ和２０ｂ）的电荷积累部分（２１ａ和２１ｂ）的底部位于到半导体衬底（１０）的主表面比到元件隔离部分（３３ａ）的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：半导体衬底；多个光电二极管，形成在该半导体衬底的主表面上，并产生和积累对应于入射光强度的信号电荷；和元件隔离部分，该元件隔离部分是通过用绝缘膜填充在所述半导体衬底的主表面中形成的沟槽而形成的， 用于分离相邻光电二极管，　其中所述光电二极管的底部位于到所述半导体衬底的主表面比所述元件隔离部分的底部更深的位置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长崎博记，田中晶二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]