图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及固态成像器件及其制造方法。本发明专利技术中可获得的光子向光接收元件的转移效率增加到超过了当前可获得的效率。提供了允许这种更高效率的增强的抗反射层配置及其制造方法。它们可应用于当前的成像器件，如电荷耦合器件（ＣＣＤ）和ＣＭＯＳ图像传感器（ＣＩＳ）。在一个实施例中，光敏器件形成在半导体衬底中。该光敏器件包括光敏区域。包括氮氧化硅的抗反射层形成在该光敏区域上。对该氮氧化硅层进行热处理，以增大该氮氧化硅层的折射率，并且从而减小入射光在该光敏区域交界处的反射率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于形成成像器件的方法，包括：在半导体衬底中形成光敏器件，该光敏器件包括光敏区域；在该光敏区域上形成抗反射层；该抗反射层包括氮氧化硅层；及对该氮氧化硅层进行热处理，从而增大该氮氧化硅层的折射率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：文昌碌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]