半导体激光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括基材，形成于基材两侧的掩膜，形成于掩膜之间的基材上的发光层，分别形成于掩膜上的阻流层，分别形成于基材底表面和发光层顶表面的第一和第二电极。发光层和阻流层通过单次生长同时形成，并且阻流层将电流和光限制在发光层的横向上。由此，可以简化半导体激光二极管的制造方法，并且可以降低激光振荡的阈值电流。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及一种，更具体地，本专利技术涉及一种氮化物，该二极管具有利用选择性生长技术嵌埋的异质结构(BH)，以使横向的电光限制作用最大化。2.
技术介绍
通常，因为半导体激光二极管相对较小，而且半导体激光二极管的激光振荡阈值电流小于常规的激光装置，所以半导体激光二极管已广泛地用作高速数据传输或高速数据记录和读出或者其中使用光盘的唱机的器件。具体地，氮化物半导体激光二极管产生波长从绿色到紫外光区的激光，广泛地应用于高密度光学信息储存和复制，高分辨率激光打印机，以及投影电视。同样，随着半导体激光二极管广泛地用于不同的领域，低阈值电流和高效率的半导体激光二极管正在形成，而脊型(ridge-type)半导体激光二极管和具有嵌埋异质结构(BH)的半导体激光二极管就是这种低阈值电流和高效率半导体激光二极管的代表。附图说明图1是常规脊型半导体激光二极管的剖面图，其中该半导体激光二极管具有脊，以便降低激光振荡的阈值电流并实现模式的稳定。参照图1，脊型半导体激光二极管具有n-型覆层13，n-型波导层15，活性层17，p-型波导层19和p-型覆层21依次堆叠在基材11上的结构。n-型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光二极管，包括：基材；形成于基材两侧的掩膜；形成于掩膜之间的基材上的发光层；分别形成于掩膜上将电流和光限制在发光层横向上的阻流层；和分别形成于基材底表面和发光层顶表面上的第一和第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金泰根，南玉铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]