利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种利用垂直腔面发射半导体激光器制作的相控阵激光装置，包括：计算机、总电源、种子激光器、移相器和由ｎ个面发射半导体激光器组成的激光阵列；移相器安置在种子激光器光路前方，每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器；其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接，总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。该阵列发射的激光束的方向由移相器控制，通过控制阵列中各个激光器单元的相位，使光束相干叠加，得到所需的光束指向，和在一定空域中按预定方案进行扫描。移相器由计算机控制。在扫描过程中激光器阵列保持固定，即激光器本身不需要作机械运动。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光装置，特别是涉及一种利用垂直腔面发射半导体激光器制作的相控阵激光装置。
技术介绍
传统的半导体激光器往往采用端面发射工作方式，其输出的激光束发散度大，光束不对称，且为多模运转，由它们构成的列阵元发射的光波缺乏相干性，如参考文献〔1〕G.P.Agarwal and N.Dutta K.，Semiconductor laser，2nd ed.Van Nostrand Reinhold，New York 1993，P530。因此，该种端面发射半导体激光器不宜于制作相控阵激光装置。最近，由于垂直腔面发射半导体激光器的发展，使得大功率相控阵激光装置成为可能。垂直腔面发射半导体激光器可以单纵模运转，相干性好，光束具有良好对称性，能够紧密聚焦，易于单片集成〔文献2R.P.Stanley，R.Houdre，U.Oesterle，M.llegems，C.Weisbuch，Coupled semiconductor microcavities，Appl.Phys.Lett.65，2093，1994)。而且可以通过选择激光材料和利用能带工程适当剪裁，按需要设计激光输出波长，从可见本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相控阵半导体激光装置，包括：激光器、控制计算机和总电源；其特征是：还包括种子激光器、移相器和由ｎ个垂直腔面发射半导体激光器组成的激光阵列；移相器安置在种子激光器光路前方，每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器；其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接，总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许祖彦，崔大复，姚爱云，林学春，李瑞宁，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]