【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多功能半导体光电子器件，特别是指一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件。同时，由于半导体光放大器在光信号处理和光开关上有广泛的应用前景以及可以和其他半导体光电子器件集成，随着光通信技术的发展，越来越多的人把兴趣投向半导体光放大器上。除了线性放大作用外，半导体光放大器的非线性现象被用于波分复用系统中的波长开关阵列系统；半导体光放大器的交叉增益和交叉相位调制和四波混频效应被用于波长转换器，在光分插复用系统中发挥重要作用。在半导体光放大器的这些线性和非线性应用中，对光信号的偏振灵敏性也是限制其应用的主要因素之一。类似于电吸收调制器，半导体光放大器的偏振灵敏性主要是由于TE模的光学增益和TM模的光学增益相差较大，同时放大器的波导结构对TE模和TM模的限制因子不同，导致器件对TE模偏振信号光和TM模偏振信号光的模式增益不同。为了消除器件的偏振灵敏性，在量子阱材料中引入张应变，使得价带中的轻空穴子带上升，轻空穴的有效质量增加；重空穴子带下降，重空穴的有效质量下降。导带电子到轻空穴的跃迁几率大于到重空穴的跃迁几率，使得在一定的载流子注入水平下，T...
【技术保护点】
一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件的制作方法，其特征在于，该器件包括：一ｎ型重掺杂的磷化铟衬垫；一ｎ型掺杂的磷化铟缓冲层，该ｎ型掺杂的磷化铟缓冲层制作在ｎ型重掺杂的磷化铟衬垫上；一不掺杂下限制层，该下限制层制作在 缓冲层上；一不掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一不掺杂上限制层，该上限制层制作在有源层上；一ｐ型掺杂的磷化铟盖层，该磷化铟盖层制作在上限制层上；一ｐ型重掺杂的铟镓砷接触层，该接触层制作在磷化铟盖层上；一二氧化硅／二 氧化钛多层增透膜，该增透膜制作在接触层７上，该增透膜为正电极；一负电...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱伟彬，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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