半导体激光器件及其制造方法技术

一种半导体激光器件，其中ｎ型（Ａｌ↓［ｅ］Ｇａ↓［１－ｅ］）↓［ｆ］Ｉｎ↓［１－ｆ］Ｐ（０≤ｅ≤１，０≤ｆ≤１）覆盖层、包括ＡｌＧａＩｎＰ型材料的多个叠置层的有源层、ｐ型（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）覆盖层、以及ｐ型（Ａｌ↓［ｐ］Ｇａ↓［１－ｐ］）↓［ｑ］Ｉｎ↓［１－ｑ］Ｐ（０≤ｐ≤１，０≤ｑ≤１）中间带隙层依此序叠置在衬底上，半导体激光器件具有电流注入区和电流非注入区，　　　　其中半导体激光器件还包括：　　　　形成在电流非注入区中ｐ型（Ａｌ↓［ｐ］Ｇａ↓［１－ｐ］）↓［ｑ］Ｉｎ↓［１－ｑ］Ｐ中间带隙层表面上的氧化层；　　　　形成在电流注入区中ｐ型（Ａｌ↓［ｐ］Ｇａ↓［１－ｐ］）↓［ｑ］Ｉｎ↓［１－ｑ］Ｐ中间带隙层上的ｐ型Ａｌ↓［ｕ］Ｇａ↓［１－ｕ］Ａｓ（０≤ｕ≤１）顶部覆盖层；以及　　　　形成在氧化层和ｐ型Ａｌ↓［ｕ］Ｇａ↓［１－ｕ］Ａｓ顶部覆盖层上的ｐ型Ａｌ↓［ｖ］Ｇａ↓［１－ｖ］Ａｓ（０≤ｖ≤１）接触层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及用做光盘的光源等的。
技术介绍
迄今为止已有了用于光盘的端面发射型半导体激光器件。需要这种半导体激光器件产生高输出以便高速地将信息写入光盘。然而，存在进行高输出操作时在激光束发射端面出现退化的问题。为了抑制激光束发射端面退化，通常使用称做“窗口结构”的结构。通过混合有源层的区域，窗口结构形成在有源层的激光束发射端面附近的区域中(下文将这些区域称做“窗口区”)。形成窗口结构以便拓宽窗口区中量子阱层的能带隙，并因此减小窗口区中光的吸收。由于窗口结构构成得很难吸收光，因此可以防止由于强激光束造成的激光束发射端面退化，并且也可以防止激光束的发射功率下降。顺便提及，在窗口结构中，如果电流流过有源层的窗口区，那么产生的光与有源层的内部区域中的光不同，这变成端面退化的一个因素。因此，为了防止电流流过窗口区，需要将电流非注入(non-injection)结构添加到半导体激光器件。为了展示常规的端面电流不注入结构的一个例子，JP-A-03-153090中公开的第一半导体激光器件的结构显示在图10A和10B中。图10A为第一半导体激光器件的透视图，图10B示出了沿图10A的线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边昌规，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：