半导体发光器件制造技术

一种半导体发光器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　位于半导体衬底上的第一多层反射膜；　　　　位于第一多层反射膜上的光发射层；　　　　位于光发射层上的由Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［ｚ］Ｉｎ↓［１－ｙ－ｚ］Ｐ（０≤ｙ≤１，０≤ｚ≤１）制成的第二多层反射膜；　　　　位于第二多层反射膜上的半导体层；以及　　　　位于该半导体层上的电流限制层，　　　　其中，第一多层反射膜和第二多层反射膜以特定的间隔形成谐振腔，并且光发射层形成在该谐振腔内驻波的波腹位置处，以及　　　　其中，该半导体层具有通过电阻率除以厚度而获得的值为１×１０↑［３］Ω或更大。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件。
技术介绍
近年来，半导体发光器件已经广泛地应用于信息指示面板，光通信等领域。这些半导体发光器件不仅需要具有高的光发射效率，而且需要具有高速的响应，尤其当其应用于光通信领域时。因此，具有较高效率和较快响应的快速半导体发光器件得到了有力的发展。允许低工作电流的面发射型LED(发光二极管)作为一种高效半导体发光器件，引起了人们的注意。然而，面发射型LED在高速响应方面相对的不能满足需要。面发射型LED的数据传输速度最好的大约在100Mbps至200Mbps。其结果是，谐振腔型LED得到了发展。在谐振腔型LED中，由两面镜子组成的谐振腔形成了驻波，光发射层即位于驻波的波腹位置处。因此，很自然的，对发射的光加以控制以实现光发射单元的高速响应和高效率(参见日本专利公开文本平No.3-229480和美国专利No.5226053)。近期，兼容IEEE1394和USB2等的高速通信系统中已经采用了POF(塑料光纤)。作为一种优选的POF光源，已经开发了一种谐振腔型LED，其光发射层使用基于AlGaInP的半导体材料。这种LED能够实现在650nm波长处的高效率的光发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：仓桥孝尚，村上哲朗，大山尚一，中津弘志，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：