电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法技术

一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）在ＩｎＰ衬底上同一次外延中先后生长ＩｎＰ缓冲层、下波导层、量子阱Ａ、ＩｎＰ刻蚀阻止层和多量子阱Ｂ；　　　　２）采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱Ｂ，留下多量子阱Ａ；　　　　３）全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和ＩｎＰ盖层；　　　　４）采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、１．２Ｑ刻蚀阻止层、ｐ型ＩｎＰ光限制层以及电接触层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种半导体激光器的制作方法，特别是指一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法。
技术介绍
电吸收调制分布反馈半导体激光器(EMLs)是光通信系统中(尤其是长途干线网络中)的一种主要的光信号产生元件。本专利技术是关于该种器件的一种方便简单的新型制作方法，主要实施的要点是一次外延中，先后生长两种优化的多量子阱结构，分别作为调制器和激光器的光增益区和光吸收层；为了减小材料的带边吸收损耗，选择腐蚀掉调制器区的顶层多量子阱，可以有效地提高EMLs的出光功率。本专利技术所采用的制作方法具有简单易行，稳定可靠，成本低廉的显著优点。在我们所处的信息时代里，人们对多种多样的广泛信息的需求，促进了通信系统向更高速率和更大容量方向发展，光纤通信的诞生和急速发展正是顺应了这种需求。在光纤通信长途主干网络中，掺铒光纤放大器的专利技术克服了一直限制信号传输距离的光损耗问题，目前，色散损耗成为另一种最重要的制约因素。人们正在采取多种的方式来消除色散损耗的影响，例如在传输链路中采用色散控制器等，另一种关键的技术是抑制光发射器输出波长的动态漂移，即人们常说的啁啾现象。直接电流调制的分布反馈半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小华，李宝霞，朱洪亮，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：