温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）在ＩｎＰ衬底上同一次外延中先后生长ＩｎＰ缓冲层、下波导层、量子阱Ａ、ＩｎＰ刻蚀阻止层和多量子阱Ｂ；　　　　２）采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱Ｂ，...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。