半导体光调制装置制造方法及图纸

将温度控制模块(4)以及支承块(5)安装在金属管座(1)上，在支承块(5)的侧面安装电介质基板(6)，在温度控制模块(4)的冷却面(4c)上安装支承块(9)，在支承块(9)侧面安装电介质基板(10)，在电介质基板(10)上安装半导体光调制元件(13)，将引脚(2)和信号线路(7)经由接合线(14)进行连接，将信号线路(7)和信号导体(11)经由接合线(15)进行连接，将信号导体(11)和半导体光调制元件(13)经由接合线(17)进行连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体光调制装置，特别是涉及安装了由温度控制模块进行温度控制的半导体光调制元件的TO-CAN(Top Open Can)结构。
技术介绍
在安装了半导体光调制元件的TO-CAN结构中，为了进行半导体光调制元件的温度控制，存在如下方法：将温度控制模块安装在金属管座(metal stem)上。这里，在专利文献1中公开了如下技术：通过使从激光二极管输出的后向光通过第1板状体的外侧由支承在第2板状体的光电二极管进行受光，从而从支承激光二极管的第1板状体去掉光电二极管来降低热电模块的功耗。专利文献1：日本特开2008-85366号公报
技术实现思路
然而，根据上述以往的技术，为了由温度控制模块对半导体光调制元件进行温度控制，需要在安装于金属管座上的温度控制模块上配置半导体光调制元件。因此，为了连接贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件，需要将引脚加长与温度控制模块的厚度相对应的量、或者加长对引脚和半导体光调制元件进行连接的接合线。其结果，引脚与半导体光调制元件之间的电感增大，存在如下问题：当传输10Gbps以上的信号时，损耗变大，频率响应特性恶化。另外，在作为半导体光调制元件使用了EAM-LD(Electro absorption-Laser Diode)的情况下，需要对信号线路提供稳定的基准电位，存在如下问题：当电感变大时，容易在带宽内产生谐振，频率响应特性恶化。本专利技术是鉴于上述而作出的，其目的在于得到一种在安装于金属管座上的温度控制模块上配置了半导体光调制元件的情况下也能够抑制电感的增大、且能够对贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件进行连接的半导体光调制装置。为了解决上述的课题并达成目的，本专利技术的半导体光调制装置的特征在于，具备：金属管座；引脚，贯通所述金属管座；第1支承块，安装在所述金属管座上；温度控制模块，安装在所述金属管座上；第1电介质基板，安装在所述第1支承块的侧面；第2支承块，安装在所述温度控制模块上；信号线路，形成在所述第1电介质基板上；第2电介质基板，安装在所述第2支承块的侧面；信号导体，形成在所述第2电介质基板；半导体光调制元件，安装在所述第2电介质基板上；第1接合线，连接所述引脚和所述信号线路的一端；第2接合线，连接所述信号线路的另一端和所述信号导体的一端；以及第3接合线，连接所述信号导体的另一端和所述半导体光调制元件。根据本专利技术，起到如下效果：在安装于金属管座上的温度控制模块上配置了半导体光调制元件的情况下，也能够抑制电感的增大、且能够对贯通金属管座的引脚和半导体光调制元件进行连接。附图说明图1是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式1的概要结构的立体图。图2是与以往例子进行比较而表示图1的半导体光调制装置的频率响应特性的图。图3是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式2的概要结构的立体图。图4是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式3的概要结构的立体图。图5-1是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式4的概要结构的立体图。图5-2是表示搭载了图5-1的半导体光调制装置的光发送接收器的概要结构的侧视图。图6是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式5的概要结构的立体图。图7是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式6的概要结构的立体图。附图标记说明1、21：金属管座；2：引脚；3：玻璃材料；4：温度控制模块；4a、52：散热面；4b：珀尔贴元件；4c：冷却面；5、9：支承块；6、6’、10：电介质基板；7、7’：信号线路；11：信号导体；8、8’、12：接地导体；13：半导体光调制元件；14～17、14’：接合线；31、32：电阻；41：散热块；51：光发送接收器；53：电路基板；54：引线；61：支承体。具体实施方式下面，参照附图详细地说明本专利技术的半导体光调制装置的实施方式。此外，并非通过该实施方式来限定本专利技术。实施方式1.图1是表示本专利技术的半导体光调制装置的实施方式1的概要结构的立体图。在图1中，在金属管座1上设置有贯通金属管座1的引脚2，引脚2经由玻璃材料3固定在金属管座1。此外，金属管座1以及引脚2的材料例如可以使用铜、铁、铝或者不锈钢等金属，也可以在表面施以镀金、镀镍等。另外，在金属管座1上安装有温度控制模块4以及支承块5。这里，在温度控制模块4中设置有珀尔贴元件4b，珀尔贴元件4b夹在散热面4a与冷却面4c之间。并且，在支承块5的侧面安装有电介质基板6，并且在温度控制模块4的冷却面4c上安装有支承块9。并且，在支承块9侧面安装有电介质基板10，在电介质基板10上安装有半导体光调制元件13。此外，作为半导体光调制元件13，例如可以使用以单片方式集成了利用了InGaAsP系量子阱吸收层的电场吸收型光调制器和分布反馈型激光二极管的调制器集成型激光器(EAM-LD)，也可以使用LiNbO3马赫-曾德尔型光调制器等。这里，在电介质基板6上形成有信号线路7以及接地导体8。此外，信号线路7可以横跨电介质基板6的相互正交的边而配置。另外，接地导体8以一定地保持了与信号线路7的间隔的状态形成在电介质基板6上的整面，可以构成共面的线路。另外，接地导体8可以经由形成在电介质基板6的通孔与支承块5电连接。另外，在电介质基板10上形成有信号导体11以及接地导体12。此外，接地导体12可以与信号导体11隔着规定的间隔而形成在电介质基板10上。另外，接地导体12也可以还形成在电介质基板10的侧面。此外，支承块5、9的材料例如可以使用铜、铁、铝或者不锈钢等金属。或者，作为支承块5、9，也可以采用在陶瓷、树脂等绝缘体上覆盖了金属的结构。另外，电介质基板6、10的材料例如可以使用氧化铝等的陶瓷，也可以使用环氧等的树脂。此外，支承块5优选配置在引脚2的附近。另外，支承块9优选配置在电介质基板6的附近。并且，引脚4和信号线路7的一端经由接合线14相互连接。另外，信号线路7的另一端和信号导体11的一端经由接合线15相互连接。另外，接地导体8、12经由接合线16相互连接。另外，信号导体11的另一端和半导体光调制元件13的信号端子经由接合线17相互连接。并且，当电信号输入到引脚2时，经由接合线14传递到信号线路7之后，经由接合线15传递到信号导体11，进一步经由接合线17施加到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.06.02 JP 2009-1333721.一种半导体光调制装置，其特征在于，具备：
金属管座；
引脚，贯通所述金属管座；
第1支承块，安装在所述金属管座上；
温度控制模块，安装在所述金属管座上；
第1电介质基板，安装在所述第1支承块的侧面；
第2支承块，安装在所述温度控制模块上；
信号线路，形成在所述第1电介质基板上；
第2电介质基板，安装在所述第2支承块的侧面；
信号导体，形成在所述第2电介质基板；
半导体光调制元件，安装在所述第2电介质基板上；
第1接合线，对所述引脚和所述信号线路的一端进行连接；
第2接合线，对所述信号线路的另一端和所述信号导体的一端进
行连接；以及
第3接合线，对所述信号导体的另一端和所述半导体光调制元件
进行连接。
2.根据权利要求1所述的半导体光调制装置，其特征在于，
所述第1支承块支承所述第1电介质基板的两端。
3.一种半导体光调制装置，其特征在于，具备：
金属管座；
引脚，贯通所述金属管座；
第1电介质基板，经由侧面安装在所述金属管座上；
温度控制模块，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田规男，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：