Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件技术

一种抑制贯通转位的Ⅲ族氮化物系化合物半导体。将ＧａＮ层３１腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜４、厚度是其上面在比ＧａＮ层３１的上面低的位置。以台阶上层的上面３１ａ及侧面３１ｂ作为核，通过使ＧａＮ３２横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时ＧａＮ３２横向外延成长的掩膜４的上部能制成抑制ＧａＮ层３１具有的贯通转位传播的区域。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及III族氮化物系化合物半导体的制造方法。特别涉及使用横向外延成长(ELO)成长的III族氮化物系化合物半导体的制造方法。所谓III族氮化物系化合物半导体是用一般式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)表达的，包括例如AlN、GaN、InN这样的2元系，AlxGa1-xN、AlxIn1-xN、GaxIn1-xN(都是0＜x＜1)这样的3元系，AlxGayIn1-x-yN(0＜x＜1、0＜y＜1、0＜x+y＜1)这样的4元系。且本说明书中只要未特别事先说明而单提到III族氮化物系化合物半导体时，则也包括为把传导型设为p型或n型的掺了杂质的III族氮化物系化合物半导体。
技术介绍
III族氮化物系化合物半导体在例如作为发光元件时，是发光光谱从紫外到红色的广泛范围内的直接跃变型半导体、应用于发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等的发光元件。且由于其禁带宽度宽、能预期比使用其它半导体的元件在高温下有稳定动作，所以往FET等三极管的应用也在大力开发。且由于不以砷(As)为主成分，从环境方面考虑也期待着向一般的各种半导体应用开发。该III族氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法，通过在基板上外延成长而得到Ⅲ族氮化物系化合物半导体，其特征在于，包括：通过腐蚀将基底层制成随着从基板面远离其水平截面积接近于零的点状、条纹状或格栅状等小岛状态的工序，所述基底层至少由一层Ⅲ族氮化物系化合物半导体构成，最上层为第一Ⅲ族氮化物系化合物半导体；形成掩膜的工序，在所述第一Ⅲ族氮化物系化合物半导体上仅使小岛状态的第一Ⅲ族氮化物系化合物半导体的顶点附近露出；外延成长工序，以从所述掩膜露出的第一Ⅲ族氮化物系化合物半导体顶点附近作为核使第二Ⅲ族氮化物系化合物半导体纵向及横向外延成长。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小池正好，手钱雄太，平松敏夫，永井诚二，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]