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一种半导体激光器件，其中ｎ型（Ａｌ↓［ｅ］Ｇａ↓［１－ｅ］）↓［ｆ］Ｉｎ↓［１－ｆ］Ｐ（０≤ｅ≤１，０≤ｆ≤１）覆盖层、包括ＡｌＧａＩｎＰ型材料的多个叠置层的有源层、ｐ型（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ（０≤ｘ≤１...
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