半导体激光器件及其制造方法技术

提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以１３５°或更大、但是不大于１８０°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种读访问和写访问的光源中适用的，更确切地，涉及一种没有应变并提供良好器件特性的。
技术介绍
图4示出了在本专利技术完成之前由本专利技术的专利技术人制造的原型半导体激光器件的剖面图。应当注意的是该半导体激光器件在相应的日本专利申请No.2003-316468中第一次公开且还没有被引入任何其他文献。如图4所示，半导体激光器件由在N型GaAs制成的衬底上101上依次层叠的N型缓冲层102、由N型Al0.5Ga0.5As制成的N型覆层(claddinglayer)103、由Al0.13Ga0.87As制成的有源层104、由P型Al0.5Ga0.5As制成的P型覆层105、由P型GaAs制成的盖层106以及P型GaAs制成的接触层108构成。P型覆层105由在有源层104的整个表面上形成的第一层和在第一层上的横向中心部分上形成的第二层构成，第一层具有几乎恒定的薄膜厚度，第二层具有台面形状并构成部分脊部111。盖层106构成了脊部111的剩余部分。此外，在其上未形成第二层的第一层的部分中，形成由N型GaAs制成的填充层107，使得填充层107与第二层的相对横向侧表面接触。填充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器件，包括：由覆层和在所述覆层的顶部上设置的盖层所组成的脊部；以及在所述脊部的相对横向侧上形成的填充层，其中所述盖层的顶表面和所述填充层的顶表面在所述盖层的上侧以１３５°或更大、但是不大于１８０°的角度会合。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本隆宏，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]