光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件制造技术

一种光接收元件，具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管，并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底顶面下形成。这有助于防止施加到发光元件装配电极的电压影响光接收元件的输出。可选地，一种光子半导体器件，具有发光元件和光接收元件，并且具有平行于发光元件发光方向而形成的光接收元件的光接收区域。发光元件的布置，使得当以平面图观看时，其发光点与光接收区域的至少一部分重叠。这允许容易地安装即使具有低发光点的发光元件，因此有助于减小光接收灵敏度的变化。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光接收元件，其适合于监测器件的光输出，例如用于光通信的发光二极管或半导体激光器，其输出单一波长的光，并且涉及一种具有这种光接收元件的光子半导体器件。
技术介绍
传统光子半导体器件，以半导体激光器为代表，具有用于监测发光元件光输出的光接收元件，并且施加到发光元件的电压基于由光接收元件检测的光能级来控制，以便保持发光元件的光输出恒定。图19是显示传统光子半导体器件一个实例的截面图。在图19中所示的光子半导体器件中，n型低浓度杂质层(n-层)6位于n型高浓度杂质层(n+层)5的顶部以形成硅衬底2，并且就在该硅衬底2的一部分的顶面下，扩散有p型杂质例如硼的扩散层(p+层)6形成，以形成PIN型光电二极管，它起到光接收元件1的作用。在硅衬底2的顶面上，氧化硅等的绝缘层8形成。而且，在绝缘层8的顶部，在硅衬底2的顶面上没有形成扩散层8的地方，发光元件装配电极10形成，发光元件18用导电粘合剂B例如Ag胶固定于发光元件装配电极10上(参看，例如，日本专利申请公开号H6-53603的公开)。如上所述构造的传统光子半导体器件受到电荷，例如由施加到发光元件装配电极10的电压产生的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光接收元件，具有形成于半导体衬底顶面的一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管，并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极， 其中高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底的顶面下形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西村晋，本多正治，上山孝二，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，鸟取三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]