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一种光接收元件,具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管,并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底顶面下形成。这有助于防止施加到发光元件...该专利属于三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社授权不得商用。
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一种光接收元件,具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管,并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底顶面下形成。这有助于防止施加到发光元件...