波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法技术

一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括如下步骤：１）在ｎ型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；２）掩膜光刻腐蚀掉有源区以外的多量子阱层；３）外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；４）淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；５）整片作均匀布拉格光栅；６）外延生长光栅盖层和电极接触层；７）光刻单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；８）溅射Ｐ面电极和Ｎ面电极。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体激光器的制作方法，特别是指一种波长可调谐分布布拉格反射(DBR)半导体激光器的制作方法。
技术介绍
波长可调谐半导体激光器是光纤通信系统中的关键组件。作为信息传输光源，半导体可调谐激光器在密集波分复用(DWDM)系统中可以代替一系列分立的单波长半导体激光器，从而降低系统成本；另外，单波长激光器的输出波长难以保证不随时间和温度漂移，从而干扰邻近谱线，但采用可调谐激光器后，输出波长可根据系统要求适时变换和调整，避开波长漂移的影响。同时，系统的波长控制程序和检测程序还可大大简化。目前，可调谐半导体激光器已成为国内外深入研究和开发的热点。文献报道采用的制作技术主要有1).通过改变温度来调节输出波长的可调谐分布反馈(DFB)和DBR半导体激光器，例如NTT于1994年发表在14thIEEE international Semiconductor laser conference P.34上的结构。由于是通过改变温度来调节波长变化，波长之间的转化速率在ms量级，所以这类器件只能用于低速系统；2).采用直接波导对接(Butt-jointed)耦合结构的可调谐DBR半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括带有磷化铟刻蚀阻挡层的激光器；深浅不同的光栅；单脊形结构的有源区、隔离区、光栅区，其特征在于，包括如下步骤：１）在ｎ型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；２）掩膜光刻腐蚀掉有源区 以外的多量子阱层；３）外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；４）淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；５）整片作均匀布拉格光栅；６）外延生长光栅盖层和电极接触层；７）光刻单脊形条，掩膜光刻电隔 离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆羽，朱洪亮，王圩，赵玲娟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]