【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器
,特别涉及可调谐外腔半导体激光器设计。
技术介绍
外腔半导体激光器是在普通半导体激光芯片外部引入光反馈元件构成。随着光纤通信的高速发展,适合于波分复用(WDM)分立信道间隔的外腔步进调谐半导体激光器成为热点。2003年3月的OFC会议上报道了利用维涅尔(Vernier)效应,控制半导体本征腔模式与不同取样光纤光栅反射峰重合得到的步进调谐结果。它将半导体激光器分成增益区和相位区两段结构,调节相位区电流选择取样光栅反射波长。它的优点在于利用电流调谐的方式达到步进调谐,激光腔各元件均固定不变,保证激光器工作具有很好的稳定性和重复性,并且相位区电流的变动不影响激光的增益性质。然而,取样光纤光栅的各信道反射系数相差较大,且其达到高反射率的光谱范围有限,因此,由取样光纤光栅形成反馈的外腔输出各信道的功率均衡性较差,且步进调谐的范围有限。目前,外腔半导体激光器实现步进调谐的方法主要是利用Vernier效应,控制两个具有滤波性质的元件得到的。一个滤波元件(如取样光纤光栅)进行梳状滤波,所选择的信道都是需要步进调谐输出的信道,滤波峰间隔等于输出 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴克瑛,张汉一,郑小平,腾翔,李艳和,赵玲娟,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:
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