大功率半导体激光变频装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种大功率半导体激光变频装置，该装置包括电源、泵源、激光晶体和由腔镜组成的谐振腔；其中泵源放在谐振腔中，激光晶体安置在泵源与作为输出光用的腔镜之间，电源与泵源电连接；其特征是：所述的泵源是一由电源泵浦的量子阱半导体激光器芯片列阵，该量子阱半导体激光器芯片列阵的外侧镀有在泵源输出的波段高反的膜作为谐振腔的另一块腔镜。该装置采用量子阱半导体激光器芯片列阵泵浦光学晶体，产生新的激光振荡或进行频率变换，克服了传统半导体激光器倍频效率低、输出激光功率小的缺点，并且结构简单，可实现高效、高功率、高光束质量的激光输出。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光器，特别是涉及一种采用量子阱半导体激光器芯片作为泵源产生高光束质量、大功率半导体激光变频装置。
技术介绍
传统半导体激光器(以下简称LD)是电泵半导体芯片列阵产生激光，经光纤耦合输出，利用输出的激光泵浦激光晶体或非线性光学晶体可以得到所需的各种波长的激光输出，并提高光束质量和输出功率，如CLEO 2001上记录的“High-efficiency，High-power，OPO-based RGB source”中所述LD(Laser Diode)侧泵NdYLF输出1047nm的激光(光路如图2)，此激光经过光放大器，入射倍频晶体，输出524nm的激光。此装置中成对的高反镜1和4形成1047nm通过NdYLF的多通道，准直基频光(1047nm)，提高基频光(1047nm)在非线性光学晶体中的吸收率，从而提高倍频转换效率，在该装置中倍频效率为23％；但由于LD(Laser Diode)芯片列阵本身的光束质量不好，使得其泵浦NdYLF输出激光的效率不高，仅为19.5％，并且虽然输出的激光(1047nm)经过光路增益、准直，但泵光损耗太多，倍频效率仍然不高，而且此装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率半导体激光变频装置，包括电源、泵源、激光晶体和由腔镜组成的谐振腔；其中泵源放在谐振腔中，激光晶体安置在泵源与作为输出光用的腔镜之间，电源与泵源电连接；其特征是：所述的泵源是一由电源泵浦的量子阱半导体激光器芯片列阵，该量子阱半导体激光器芯片列阵的输出的面相对一块谐和振腔镜设置，其背面镀有在泵源输出的波段高反的膜作为谐振腔的另一块腔镜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许祖彦，姚爱云，林学春，崔大复，李瑞宁，冯衍，毕勇，汪家升，张鸿博，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]