一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法技术

本发明专利技术公开了一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明专利技术的方法包括步骤：S1，采用微区Raman光谱仪，选择Raman光谱测试模式，设定Raman光谱的测试参数，对CaF2光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试；S2，微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试；S3，对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明专利技术提供的CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学元件表面检测领域，特别涉及一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。
技术介绍
近年来，包括ArF准分子激光在内的深紫外激光在包括材料精细微加工、深紫外光刻、材料处理、激光打标等在内的工业应用，准分子激光医疗，以及科学研究等诸多领域都获得了越来越多的广泛应用，尤其是在极大规模集成电路光刻制备领域，具有十分重大的社会和经济价值。可以预见，随着经济社会的不断发展，包括ArF准分子激光在内的深紫外激光必将获得更多更深入的应用。由于深紫外波段靠近绝大多数介质材料的禁带，本征吸收、杂质吸收、缺陷吸收等的存在使得只有少量的氧化物和氟化物等介质材料能够满足深紫外激光光学元件应用的需要。光学薄膜与元件的激光损伤与寿命问题一直是制约深紫外激光器向更高能量和功率发展，影响深紫外激光应用系统使用寿命与成本的主要因素。近年来，随着极大规模集成电路光刻制备技术的快速发展，对ArF准分子激光元件的性能及长期稳定性要求提出了持续的挑战，尤其是ArF准分子激光元件的在高重频、低能量密度辐照下的损伤与长期使用寿命问题显得愈发突出。可以作为ArF激光元件基底的只有SiO2、CaF2、M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，包括步骤：S1，采用微区拉曼拉曼光谱仪，选择拉曼光谱测试模式，设定拉曼光谱的测试参数，对CaF2光学元件的聚焦区域进行拉曼光谱测试，获得特定波长范围的拉曼光谱；S2，保持上述CaF2光学元件聚焦状态不变，微区拉曼光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试，获得特定波长范围的荧光光谱；S3，对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。

【技术特征摘要】
1.一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，包括步骤：S1，采用微区拉曼拉曼光谱仪，选择拉曼光谱测试模式，设定拉曼光谱的测试参数，对CaF2光学元件的聚焦区域进行拉曼光谱测试，获得特定波长范围的拉曼光谱；S2，保持上述CaF2光学元件聚焦状态不变，微区拉曼光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试，获得特定波长范围的荧光光谱；S3，对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。2.如权利要求1所述的CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，所述CaF2光学元件的聚焦区域分为没有被辐射区域以及辐照区域，所述没有被辐射区域测试得到的拉曼光谱为参考拉曼光谱，所述荧光光谱为参考荧光光谱。3.如权利要求2所述的CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，所述步骤S3，对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试包括：对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域设定合适的测试间隔，对测试区域进行Mapping测试，分别得到每个测试点拉曼光谱和荧光光谱。4.如权利要求3所述的CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，所述步骤S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化具体为：将得到的每个测试点的拉曼光谱和荧光光谱分别与参考拉曼光谱和荧光光谱相比，比较拉曼特征光谱峰和荧光特征光谱峰强弱的变化，并分别采用样品的拉曼特征峰积分强度和荧光光谱峰积分强度作为标度，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓文渊，金春水，靳京城，李春，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22