半导体热处理工艺与设备及由该工艺热处理的半导体制造技术

一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体热处理工艺能降低电阻率却不会因晶格位错密度的增大而导致结晶率下降。该工艺包括以下步骤：（ａ）、让至少一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理主中与铝接触，该组由热解天生氮化物，六方晶系氮化硼，蓝宝石，刚玉，氮化铝，和多晶体金刚石组成的；（ｂ）、在含有一个或几个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体的ＩＩ族元素组成部分的气雾中对该一个或几个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体进行热处理。用上述工艺对ＩＩ－ＶＩ化合物半导体进行热处理。ＩＩ－ＶＩ化合物半导体热处理设备包括用于执行上述工艺的构件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物半导体热处理工艺与设备以及利用该工艺进行热处理的化合物半导体，详细讲，涉及II-VI族化合物半导体(用周期表的族表示)热处理工艺与设备以及利用该工艺进热处理的II-VI族化合物半导体。近年来，已经见到利用新颖的概念来开发生产白光LED的技术，其中，白光是通过混合由在ZnSe基片上形成的活性层发出的短波光与由受活性层的发光激活的ZnSe基片本身发出的长波光而获得的。对于白光LED的情况，要利用基片本身光辐射就必须使用ZnSe基片。结果，就用单晶体ZnSe基片作为发光器件的基片。为简化器件结构以改善器件性能，就必须增大基片的导电率，或者降低电阻率。然而，利用物理蒸汽迁移法(PVT)和晶粒法(GG)生产的惯用的大块ZnSe单晶因为不掺杂(没有施主杂质被掺入)而电阻率高。通过在Zn-Al熔融液中对其进行热处理可以降低ZnSe单晶的电阻率。这一方法的例子由G.Jones和J.Woods在收入物理学杂志1976年9卷799-810页的一篇论文中提出。根据该方法，在ZnSe单晶中扩散的Al起施主杂质的作用，同时，Zn空穴的浓度降低。这些现象可增大Al的活化率以及n型载流子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅱ－Ⅵ化合物半导体热处理的一项工艺，该工艺包括工序：（ａ）、让至少一个Ⅱ－Ⅵ化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理室中与铝接触，该组由热解氮化硼，六方晶系氮化硼，蓝宝石，刚玉，氮化铝，和多晶体金刚石组成 ；（ｂ）、在含有一个或几个Ⅱ－Ⅵ化合物半导体的Ⅱ族元素组成部分的气氛中对该一个或几个Ⅱ－Ⅵ化合物半导体进行热处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：並川靖生，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]