【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及稳流源,更具体涉及用于半导体激光器的稳流源。为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案稳压器U1提供+15伏和-15伏的电源,稳压器U1正电压输出端向正极性三端稳压器U4提供电源,正极性三端稳压器U4的输出端连接到NPN型晶体管Q1的集电极c,NPN型晶体管Q1的集电极c通过电阻R4连接电容C1再接地,电阻R4与电容C1之间跨接电感L1到NPN型晶体管Q1的基极b。NPN型晶体管Q1的发射极e连接到NPN型晶体管Q2的集电极c,NPN型晶体管Q2的基极b通过电感L2、电阻R5连接到电压放大器U5的输出端。稳压器U1正电压输出端连接到场效应晶体管T的漏极d,场效应晶体管T的栅极g、源极s共同连接到精密稳压器U2的输入端,精密稳压器U2将U1提供的+15伏电源转换成+7伏的电源,其输出端通过电阻R1连接电位器W1再接地,电位器W1的可调端接到电压放大器U3的输入端,并通过电容C1接地。电压放大器U3分别接入稳压器U1提供的正、负电源,其输出端通过电阻R2、R3到电压放大器U5的输入端。电阻R2、R3之间跨接电容C2再接地。电压放大器U5分别接入稳 ...
【技术保护点】
一种用于半导体激光器的稳流源,其特征在于,稳压器(U1)提供+15伏和-15伏的电源,稳压器(U1)正电压输出端向正极性三端稳压器(U4)提供电源,正极性三端稳压器(U4)的输出端连接到NPN型晶体管(Q1)的集电极(c),NPN型晶体管(Q1)的集电极(c)通过电阻(R4)连接电容(C1)再接地,电阻(R4)与电容(C1)之间跨接电感(L1)到NPN型晶体管(Q1)的基极(b);NPN型晶体管(Q1)的发射极(e)连接到NPN型晶体管(Q2)的集电极(c),NPN型晶体管(Q2)的基极(b)通过电感(L2)、电阻(R5)连接到电压放大器(U5)的输出端; 稳压器(U ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李交美,高克林,
申请(专利权)人:中国科学院武汉物理与数学研究所,
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]
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