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一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体热处理工艺能降低电阻率却不会因晶格位错密度的增大而导致结晶率下降。该工艺包括以下步骤：（ａ）、让至少一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理主中与铝接触，该组由热解天生氮化...
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