制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件技术

利用掩模４，蚀刻第一ＩＩＩ族氮化物半导体层３１，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽／柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模４，第二ＩＩＩ族氮化物层３２即可以沟槽的侧壁／多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二ＩＩＩ族氮化物层３２不在掩模４上外延生长。这种情况下，可以防止第一ＩＩＩ族氮化物半导体层３１中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二ＩＩＩ族氮化物半导体３２的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利申请基于2000年12月21日提交的PCT申请PCT/JP00/09121，该PCT申请基于1999年12月24日提交的日本专利申请H11-367613，并引入本文作为参考。
技术介绍
专利
本专利技术涉及一种制备III族氮化物半导体的方法。更具体地，本专利技术涉及采用外延横向附生(ELO，epitaxial lateral overgrowth)制备III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体一般用AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)来表示，其实例包括二元半导体，如AlN，GaN和InN；三元半导体，如AlxGa1-xN，AlxIn1-xN和GaxIn1-xN(其中0＜x＜1)；及四元半导体，如AlxGayIn1-x-yN(其中0＜x＜1，0＜y＜1，且0＜x+y＜1)。在本说明书中，除非另有说明，否则“III族氮化物半导体”包括用杂质掺杂的p-型或n-型导电性的III族氮化物半导体。现有技术描述III族氮化物半导体是直接跃迁的半导体，当用于发光器件等设备时具有宽范围的从紫外到红光的发射光谱，并且已经用于发光器件，如发光二极管(LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过外延生长制备Ⅲ族氮化物半导体的方法，包括 使用掩模； 蚀刻包含至少一层Ⅲ族氮化物半导体的底层，所述底层的最上层是由第一Ⅲ族氮化物半导体形成的，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构；及 沿纵向和横向外延生长第二Ⅲ族氮化物半导体，但不在掩模上外延生长，该掩模保留在所述沟槽底层中最上层的顶面上，并以沟槽的侧壁为外延生长的晶核，通过蚀刻所述第一Ⅲ族氮化物半导体，形成柱子和所述的沟槽，进而形成点状、条状或栅格状等岛状结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小池正好，小岛彰，平松敏夫，手钱雄太，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]