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本发明涉及一种半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括基材，形成于基材两侧的掩膜，形成于掩膜之间的基材上的发光层，分别形成于掩膜上的阻流层，分别形成于基材底表面和发光层顶表面的第一和第二电极。发光层和阻流层通过单次生长同时形成，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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