高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法技术

一种线性掺杂的高压Ｎ型金属氧化物半导体管，在Ｎ型衬底上设有Ｐ型阱和Ｎ型漂移区，在Ｐ型阱内设有Ｐ型接触孔和Ｎ型源，在Ｎ型漂移区内设有Ｎ型漏，在Ｐ型阱和Ｎ型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于Ｐ型阱与Ｎ型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在Ｐ型接触孔和Ｎ型源上、多晶硅栅上、Ｎ型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有的多晶硅场极板与多晶硅栅连接，Ｎ型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，沿Ｎ型源至Ｎ型漏的方向依次排列，掺杂浓度由大到小依次为第四区、第三区、第二区、第一区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种金属氧化物半导体管及其制备方法，尤其是高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法。
技术介绍
金属氧化物半导体型功率器件具有开关特性好、功耗小等优点，更为重要的是金属氧化物半导体型功率器件易于兼容标准低压金属氧化物半导体工艺，降低芯片的生产成本，因此在10V-600V的应用范围内，金属氧化物半导体型功率器件广泛应用于功率集成电路中，击穿电压和导通电阻是高压金属氧化物半导体器件的两个最关键的参数，也是一对矛盾体，击穿电压提高，导通电阻就会相应增加。最近，出现了一些新技术或新结构来克服以上缺点，即在提高击穿电压的同时不增加导通电阻，如多场极板结构，多维栅结构，漂移区线性注入等等。但是目前提出的漂移区线性注入技术是一维的，没有考虑到不同的氧化层厚度以及场极板的影响，因此还不够全面。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够提高耐压、降低导通电阻，且与标准外延金属氧化物半导体工艺相兼容的漂移区分段线性注入的高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法。本专利技术所述产品技术方案如下一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性掺杂的高压Ｎ型金属氧化物半导体管，包括Ｎ型衬底（１），在Ｎ型衬底（１）上设有Ｐ型阱（２）和Ｎ型漂移区（３），在Ｐ型阱（２）内设有Ｐ型接触孔（６）和Ｎ型源（５），在Ｎ型漂移区（３）内设有Ｎ型漏（４），在Ｐ型阱（２）和Ｎ型漂移区（３）的上方设有栅氧化层（７），在栅氧化层（７）上方设有多晶硅栅（８）且多晶硅栅（８）位于Ｐ型阱（２）与Ｎ型漂移区（３）交界的上方，在栅氧化层（７）及多晶硅栅（８）的上方设有场氧化层（１０），在Ｐ型接触孔（６）和Ｎ型源（５）上连接有铝引线（１１），在多晶硅栅（８）上连接有铝引线（１２），在Ｎ型漏（４）上连接有铝引线（１３），在场氧化层（１０）内设有多晶硅场极板（９）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，易扬波，李海松，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]