【技术实现步骤摘要】
沟槽高压P型金属氧化物半导体管
本专利技术是一种金属氧化物半导体管,尤其是沟槽髙压P型金属氧化物半导体管。
技术介绍
MOS (金属氧化物半导体)型高压器件具有开关特性好、功耗小等优点,更 为重要的是金属氧化物半导体型高压器件易于兼容标准低压余属氧化物半导体工 艺,降低芯片的生产成本。金属氧化物半导体型髙压器件向着两个方向发展横 向金属氧化物半导体型高压器件和垂直导电金属氧化物半导体型高压器件。其中 垂直导电金属氧化物半导体型高压器件将漏区、漂移区和沟道区从硅片表面分别 转移到硅片的底部和体内,与横向金属氧化物半导体型高压器件相比,单个管芯 占用的硅片面积大大减小,从而在相同的版图面积上可以得到大的工作电流。目 前常用的两种垂直导电金属氧化物半导体型高压器件结构是VDMOS和UMOS。 与VDMOS相比,UMOS采用纵向沟道且不存在JFET电阻,因此在导通电阻和 开关特性方面更有优势。
技术实现思路
本专利技术提供一种击穿电压在50V以上、工作电流在100mA以上且与标准外延 CMOS (互补型金属氧化物半导体)工艺相兼容的沟槽高压P型金属氧化物半导 体管。本专利技术采用如下技术方案一种沟槽髙压P型金属氧化物半导体管,包括兼做衬底的P型漏区,在P型 漏区上设有P型外延,在P型外延上设有N型阱,在N型阱上设有P型源区和N 型接触孔,在N型阱及P型外延内设有沟槽,在沟槽内填充有二氧化硅,在沟槽 内还设有多品硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应,在沟槽的周围 设有N型区,在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层,在多晶硅栅及P型源区的 上方覆有二氧化硅,在P ...
【技术保护点】
一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管,其特征在于包括兼做衬底的P型漏区(1),在P型漏区(1)上设有P型外延(2),在P型外延(2)上设有N型阱(3),在N型阱(3)上设有P型源区(4)和N型接触孔(5),在N型阱(3)及P型外延(2)内设有沟槽(6),在沟槽(6)内填充有二氧化硅(8),在沟槽(6)内还设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)的位置高度与N型阱(3)的高度相对应,在沟槽(6)的周围设有N型区,在多晶硅栅(9)与N型阱(3)之间设有栅氧化层(11),在多晶硅栅(9)及P型源区(4)的上方覆有二氧化硅(10),在P型源区(4)及N型接触孔(5)上连接有铝引线(12)。
【技术特征摘要】
1、 一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管,其特征在于包括兼做衬底的P型漏区(1),在P型漏区(1〉上设有P型外延(2),在P型外延(2)上设有N型 阱(3),在N型阱(3)上设有P型源区(4)和N型接触孔(5),在N型阱(3) 及P型外延(2)内设有沟槽(6),在沟槽(6)内填充有二氧化硅(8),在沟槽 (6)内还设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)的位置髙度与N型阱(3)的高度 相对应,在沟槽(6)的周围设有N型区,在多晶硅栅(9...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙伟锋,刘侠,戈喆,易扬波,陆生礼,时龙兴,
申请(专利权)人:东南大学,
类型:实用新型
国别省市:84[中国|南京]
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