具有不全接触通孔栈的密封环结构制造技术

本发明专利技术提供了用于集成电路器件的技术。该集成电路器件包括半导体衬底、集成电路、介电层和密封结构。该密封结构围绕着集成电路且被设置在介电层内以防止集成电路受到损害。该密封结构包括多条金属迹线和多个通孔，它们在垂直层上有序排列。该多个通孔中的每个通孔从相邻的垂直层耦合多条金属迹线中的至少两条金属迹线。多个通孔中的每个通孔与至少两条金属迹线中较低金属迹线的至少两个互相垂直的表面接触。多个金属迹线和多个通孔在介电层上形成连续界面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造半导体器件的集成电路及其工艺。更具体地说，本专利技术提供了一种在多层结构中减少薄膜分层的方法和结构。仅仅作为实例，本专利技术已应用于制造先进集成电路器件，但是应该认识到本专利技术具有更广泛的应用范围。
技术介绍
集成电路从在单一硅芯片上焊接几个互连器件发展到焊接数以百万的器件。传统集成电路提供了远远超乎人们最初想象的性能和复杂性。为了改进其复杂性和电路密度(即能够集成在特定芯片面积上的器件数量)，随着每代集成电路的发展，最小器件的特征尺寸(也被称为器件“几何尺寸”)变得更小。增加电路密度不仅改善了线路的复杂性和性能，而且还为消费者提供了更低的价格。集成电路或芯片的加工设备可能价值数亿甚至数十亿美元。每台加工设备具有一定的硅晶片生产能力，而且每个硅晶片上具有一定数量集成电路。因此，通过将集成电路的单个器件制造得更小，每个硅晶片上可以构建更多的器件，因而增加了加工设备的输出量。由于集成加工中每道工艺的局限性，制造更小的器件是具有挑战性的。也就是说，典型的特定工艺仅仅做到某一特征尺寸，然后需要要么改变工艺要么改变器件设计。另外，由于器件要求越来越快的设计，采用某些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，所述器件包括：半导体衬底；集成电路；介电层；和密封结构，所述密封结构围绕着所述集成电路且被设置在所述介电层内以防止所述集成电路受到损害，所述密封结构包括：多个在垂直层上有序排列的金属 迹线；多个通孔，所述多个通孔中的每个通孔从相邻的垂直层耦合所述多条金属迹线中的至少两条金属迹线，且所述多个通孔中的每个通孔与至少两条金属迹线中较低金属迹线的至少两个互相垂直的表面接触，其中，所述多个金属迹线和多个通孔在所述介 电层上形成连续界面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]