半导体器件及其制造方法技术

半导体器件和／或制造半导体器件的方法。方法可包括以下步骤中的至少一个：在硅衬底上形成第一氧化物层。在第一氧化物层上沉积多晶硅层。在多晶硅层和第一氧化物层上形成图案以暴露形成多晶硅层图案和第一氧化物层图案的一部分硅衬底。在硅衬底的整个表面上形成第二氧化物层。在第二氧化物层上形成图案以暴露一部分硅衬底。在暴露的硅衬底上生长硅以形成硅外延层。移除在多晶硅层图案上形成的第二氧化物层。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及具有简化工艺的。
技术介绍
沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是垂直形成沟道体管。沟槽具有由在半导体衬底的掘槽(dug groove)中的薄电介质诸如 氧化物层形成的外形。沟槽填充有导体诸如多晶硅以形成沟槽栅极结构。 通过沿沟槽的两侧注入高浓度离子形成源极区。沟槽可填充有多晶硅，多 晶硅层可沉积在半导体衬底的整个表面上。通常，沟槽形成为约1.5 至 约2.0 pm的深度，多晶^沉积为约1.2 pm的厚度。然后可实施多晶硅回蚀工艺以移除在半导体衬底上形成的多晶硅层。 可使用SF6或HBr实施多晶硅回蚀工艺。然而，在多晶硅回蚀工艺期间产 生的副产物或颗粒可对在沟槽中形成的多晶硅层产生损害，因此半导体器 件的性能劣化。
技术实现思路
一些实施方案涉及具有简化工艺的。一些实施方案涉及可包括以下中的至少一个的半导体器件在硅衬底 上形成的第一氧化物层图案、和在所述第一氧化物层图案上和/或上方形成 的多晶硅层图案。在所述第一氧化物层图案和所述多晶硅层图案的两侧处 在所述硅衬底上和/或上方可以形成珪外延层。在所述多晶硅层图案和所述 硅外延层之间可以形成第二氧化物层图案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：　在硅衬底上方形成的第一氧化物层图案；　在所述第一氧化物层图案上方形成的多晶硅层图案；　在所述第一氧化物层图案和所述多晶硅层图案的侧壁上形成的第二氧化物层图案；　在所述第二氧化物层图案的侧壁处在所述硅 衬底上方形成的硅外延层；　在所述硅外延层中形成的源极区／漏极区。

【技术特征摘要】
KR 2007-12-21 10-2007-01348591. 一种器件，包括在硅衬底上方形成的第一氧化物层图案；在所述第一氧化物层图案上方形成的多晶硅层图案；在所述第一氧化物层图案和所述多晶硅层图案的侧壁上形成的第二氧化物层图案；在所述第二氧化物层图案的侧壁处在所述硅衬底上方形成的硅外延层；在所述硅外延层中形成的源极区/漏极区。2. 根据权利要求1所述的器件，其中所述第一氧化物层图案和所述第二 氧化物层图案具有相同的厚度。3. 根据权利要求1所述的器件，其中所述第一氧化物层和所述第二氧化 物层形成为约200A 300A的厚度。4. 根据权利要求1所述的器件，其中所述多晶硅层形成为约1.0 jtm ~ 1.5 jLim的厚度。5. 根据权利要求1所述的器件，其中所^:外延层形成为约1.0 jim ~ 1.6 jim的厚度。6. 根据权利要求1所述的器件，其中所述多晶硅层的最上表面与所^ 外1^的最上表面是共面的。7. —种方法，包括在珪衬底上方形成第一氧化物层；然后在所述第一氧化物层上方形成多晶硅层；然后通过蚀刻所述多晶硅层和所述第一氧化物层形成多晶硅层图案和第一 氧化物层图案，以暴露所述硅衬底的一部分；然后在包括所述多晶硅层图案的最上表面的所述珪衬底的整个表面上方形 成第二氧化物层；然后通过蚀刻所述第二氧化物层形成第二氧化物层图案，以暴露所述硅衬 底的一部分；然后通过在所iL暴露的珪衬底上方生长珪而形成硅外延层；和然后移除在所述多晶硅层图案的最上表面上方形成的第二氧化物层的一部分.8. 根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第二氧化物层图案包括在所述多晶珪层图案的位置处在所述第二氧化物层上方形成光刻胶图 案5和然后使用所述光刻胶图案作...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑大浩，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]