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半导体器件和／或制造半导体器件的方法。方法可包括以下步骤中的至少一个：在硅衬底上形成第一氧化物层。在第一氧化物层上沉积多晶硅层。在多晶硅层和第一氧化物层上形成图案以暴露形成多晶硅层图案和第一氧化物层图案的一部分硅衬底。在硅衬底的整个表面上形...
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