场效应控制的晶体管及其制造方法技术

在半导体衬底（２）中安排了具有分别邻接在半导体衬底（２）的一个主面（１）上的一个源极区，一个沟道区和一个漏极区的一个有源区。在半导体衬底（２）的主面中安排了至少一个沟槽，此沟槽邻接在沟道区上，并且在此沟槽中布置了栅电极的部分（８）。尤其是栅电极具有分别邻接在沟道区上的两个互相相对的部分（８）。借助于标准工艺步骤进行晶体管的制作。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场效应控制的晶体管，此晶体管甚至在少于50nm的沟道长度时是有功效的。平面型MOS晶体管和结型晶体管在大约50nm沟道长度时碰到它们的功能界限。对于50nm之下的栅极长度范围已建议了不同的晶体管结构(请参阅例如H.Wong及其他人著，IEDM 97，427页及以下各页)。在此建议一种MOS晶体管配备两个栅电极，这两个栅电极是布置在沟道范围的互相相对的侧面上的，并且因此控制沿沟道范围的两个表面的电流。在此既是垂直的结构，也是平面型结构，在这些垂直的结构上在针对硅片主面的垂直方向上，布置了源极区，沟道范围和漏极区，并且形成探出主面的堆(stapel)，在这些平面型结构中平行于硅片的主面布置了源极区，沟道范围和漏极区。在H.Wong及其他人著，IEDM97，427页及以下各页中曾建议在SOI衬底上实现平面型MOS晶体管，在此晶体管中一个栅电极是布置在沟道范围之上的，和一个栅电极是布置在沟道范围之下的。为了制作该晶体管建议，将一个厚的氧化硅层，一个第一氮化硅层，一个第一薄的氧化硅层，一个由非晶硅组成的位置保持器层，一个第二薄的氧化硅层和一个第二氮化硅层安放到硅衬底上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
场效应控制的晶体管， －在此晶体管上在半导体衬底（２）中安排了具有分别邻接在半导体衬底（２）的一个主面（１）上的一个源极区，一个漏极区和一个沟道区的一个有源区（６）， －在此晶体管上在半导体衬底（２）的主面（１）中安排了至少一个沟槽，此沟槽邻接在沟道区（６）上，并且在此沟槽中布置了栅电极（８）的一部分。

【技术特征摘要】
DE 1998-11-18 19853268.71.场效应控制的晶体管，-在此晶体管上在半导体衬底(2)中安排了具有分别邻接在半导体衬底(2)的一个主面(1)上的一个源极区，一个漏极区和一个沟道区的一个有源区(6)，-在此晶体管上在半导体衬底(2)的主面(1)中安排了至少一个沟槽，此沟槽邻接在沟道区(6)上，并且在此沟槽中布置了栅电极(8)的一部分。2.按权利要求1的场效应控制的晶体管，在此晶体管上至少在沟槽的范围中沟道区的表面配备栅极电介质(7)。3.按权利要求1或2的场效应控制的晶体管，-在此晶体管上垂直于主面(1)的源极区(15)和漏极区(15)的范围小于或等于沟槽的深度。4.按权利要求1至3之一的场效应控制的晶体管，在此晶体管上安排了包围有源区(6)和沟槽的绝缘结构(10)。5.按权利要求1至4之一的场效应控制的晶体管，在此晶体管上在主面(1)中安排了一个第一沟槽和一个第二沟槽，这些沟槽邻接在沟道区的互相相对的侧壁上，并且在这些沟槽中分别布置了栅电极的部分(8)。6.用于制作场效应控制的晶体管的方法，-在此方法上在...

【专利技术属性】
技术研发人员：D韦德曼，A韦德尔，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]