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在半导体衬底（２）中安排了具有分别邻接在半导体衬底（２）的一个主面（１）上的一个源极区，一个沟道区和一个漏极区的一个有源区。在半导体衬底（２）的主面中安排了至少一个沟槽，此沟槽邻接在沟道区上，并且在此沟槽中布置了栅电极的部分（８）。尤其是栅...
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