【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更详细地说，涉及谋求提高在LCD驱动器或EL驱动器等中使用的高电源电压(HV-VDD)用的高耐压MOS晶体管的工作耐压特性的技术。以下，关于与现有例有关的半导体装置，一边参照附图说明图13中示出的LDD型高耐压MOS晶体管的剖面图，一边进行说明。在图13中，在P型的半导体衬底(P-Sub)51上经栅绝缘膜52形成了栅电极53。而且，形成了N+型源区54，使其与上述栅电极53的一端邻接，经沟道区55与上述源区54相对地形成了N-型漏区56，还形成了N+型漏区57，使其离开栅电极53的另一端、而且被包含在N-型漏区56中。迄今，为了谋求高耐压化(例如，约50V～60V)，利用大体为1000℃～1100℃的热扩散形成低浓度的N-型漏区56，形成了平缓的浓度梯度和深的扩散层。但是，即使作成这样的结构，虽然源-漏间的电压(BVDS关断时的电压)高，但在漏电压和栅电压都高的情况下，不能提高作为其工作耐压的保持电压(VSUS导通时的耐压)。迄今，充其量约30V是其极限。以下，说明发生上述的工作耐压的下降的机理。在这样的N沟道型高耐压MOS晶体管中，如图14...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备： 在一种导电型的半导体衬底上形成的第１和第２栅绝缘膜上延伸地形成的栅电极； 与上述栅电极的一端邻接的反导电型源区； 第１浓度的反导电型漏区和与该漏区相连地形成的第２浓度的反导电型漏区，经上述沟道区与上述源区相对，而且在上述第１栅绝缘膜下、至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；以及 第３浓度的反导电型漏区，离开上述栅电极的另一端且包含在上述第２浓度的反导电型漏区内。
【技术特征摘要】
JP 2001-1-16 8019/011.一种半导体装置，其特征在于，具备在一种导电型的半导体衬底上形成的第1和第2栅绝缘膜上延伸地形成的栅电极；与上述栅电极的一端邻接的反导电型源区；第1浓度的反导电型漏区和与该漏区相连地形成的第2浓度的反导电型漏区，经上述沟道区与上述源区相对，而且在上述第1栅绝缘膜下、至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；以及第3浓度的反导电型漏区，离开上述栅电极的另一端且包含在上述第2浓度的反导电型漏区内。2.一种半导体装置，其特征在于，具备在一种导电型的半导体衬底上形成的第1和第2栅绝缘膜上延伸地形成的栅电极；与上述栅电极的一端邻接的反导电型源区；第1浓度的反导电型漏区和与该漏区相连地形成的第2浓度的反导电型漏区，经上述沟道区与上述源区相对，而且在上述第1栅绝缘膜下、至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；第3浓度的反导电型漏区，离开上述栅电极的另一端且包含在上述第2浓度的反导电型漏区内；以及第4浓度的反导电型层，从上述第1栅绝缘膜的一个端部起横跨上述第3浓度的反导电型漏区间的方式被形成。3.如权利要求1或2中所述的半导体装置，其特征在于上述第1栅绝缘膜是经场氧化而形成的场氧化膜。4.如权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于上述第4浓度的反导电型层处于从离上述第1栅绝缘膜的一个端部存在规定间隔的位置起横跨上述第3浓度的反导电型漏区间的区域，被形成为在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备对一种导电型的半导体衬底的规定区域注入反导电型的杂质离子的工序；对上述衬底的规定区域进行场氧化、在形成第1栅绝缘膜的同时、使上述被进行了离子注入的杂质扩散、在第1栅绝缘膜下形成第1浓度的反导电型漏区、再与该漏区相连地形成第2浓度的反导电型漏区的工序；在上述第1栅绝缘膜以外的上述衬底上形成了第2栅绝缘膜后、以从第1栅绝缘膜跨到第2栅绝缘膜上的方式形成栅电极的工序；以及在形成反导电型源区使其与上述栅电极的一端邻接的同时、形成第3浓度的反导电型漏区、使其经沟道区与上述源区相对并离开上述栅电极的另一端且包含在第2浓度的反导电型漏区内的工序。6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有对一种导电型的半导体衬底的规定区域注入反导电型的杂质离子的工序；对上述衬底的规定区域进行场氧化、在形成第1栅绝缘膜的同时、使上述被进行了离子注入的杂质扩散、在第1栅绝缘膜下形成第1浓度的反导电型漏区、再与该漏区相连地形成第2浓度的反导电型漏区的工序；在上述第1栅绝缘膜以外的上述衬底上形成了第2栅绝缘膜后、以从第1栅绝缘膜跨到第2栅绝缘膜上的方式形成栅电极的工序；在形成反导电型源区使...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊地修一，西部荣次，铃木琢也，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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